[发明专利]氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统

说明书

本发明提供氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统。该氧化膜去除方法在将形成于图案底部的硅部分的含硅氧化膜去除时抑制CD损失。所述氧化膜去除方法用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法包括以下工序：通过基于碳系气体的等离子体的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于图案的底部的含硅氧化膜去除；通过化学蚀刻，来去除各向异性等离子体蚀刻后的含硅氧化膜的残余部分；以及去除在化学蚀刻后残留的残渣。

技术领域

本发明涉及一种氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统。

背景技术

在接触孔、沟槽等图案的底部的硅的表面形成由硅化物构成的接触部的情况下，需要将形成于硅表面的自然氧化膜去除，作为去除图案底部的自然氧化膜的技术，已知一种基于离子性蚀刻的各向异性蚀刻(例如专利文献1)。

另一方面，例如在作为三维器件的鳍型沟道场效应晶体管(鳍式FET)中，在形成于绝缘膜(SiO₂膜和SiN膜)的微细沟槽的底部形成具有多个Si鳍的鳍型沟道，在其源极和漏极部分例如形成Ti膜来作为接触金属，由此形成接触部。通过使Si或SiGe在Si鳍外延生长来形成鳍型沟道的源极和漏极部分，从使接触性能良好的观点来看，在形成接触金属前，进行将形成于源极和漏极部分的表面的自然氧化膜(SiO₂膜)去除的工序。

作为这样的去除鳍式FET的源极和漏极的自然氧化膜的技术，也能够使用基于上述的离子性蚀刻的各向异性蚀刻。

另外，鳍式FET的源极和漏极部分的构造复杂，因此作为能将离子难以到达的部分的自然氧化膜也去除的处理，对COR(Chemical Oxide Removal：化学氧化物去除)处理进行了研究。COR处理是使用HF气体和NH₃气体且通过无等离子体的干蚀刻来去除氧化膜的处理，例如在专利文献2等中有记载。

专利文献1：日本特开2003-324108号公报

专利文献2：国际公开第2007/049510号手册

发明内容

发明要解决的问题

另外，COR处理是各向同性的处理，因此当在去除沟槽底部的自然氧化膜时使用COR处理时，沟槽侧壁的绝缘膜也被蚀刻，产生CD损失。近年来，随着器件的微细化取得进展，要求沟槽与沟槽之间的绝缘膜的宽度小于10nm，并且当沟槽侧壁的绝缘膜被蚀刻而产生CD损失时，可能存在发生泄漏的问题。因此，需要极力抑制CD损失。另外，当元件的微细化进一步取得进展时，即使在使用基于离子性蚀刻的各向异性蚀刻的情况下，CD损失的影响也不容忽视。

因而，本发明的课题在于提供一种能够在将形成于沟槽之类的图案的底部的硅部分的含硅氧化膜去除时抑制CD损失的技术、以及在使用这样的技术去除氧化膜后的图案的底部形成接触部的技术。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明的第一观点提供一种氧化膜去除方法，用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于所述图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除所述含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法的特征在于，包括以下工序：通过利用碳系气体的等离子体进行的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于所述图案的底部的所述含硅氧化膜去除；通过化学蚀刻来去除所述各向异性等离子体蚀刻后的所述含硅氧化膜的残余部分；以及去除在所述化学蚀刻后残留的残渣。

在上述第一观点的氧化膜去除方法中，也可以是，所述图案的底部的所述含硅氧化膜为形成于所述图案的底部的所述硅部分的表面的自然氧化膜。

另外，所述被处理基板用于形成鳍式FET，具有硅鳍和由形成于该硅鳍的前端部分的、由Si或SiGe构成的外延生长部，所述外延生长部构成所述硅部分。