[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：

衬底；

布线，其设置在所述衬底上；

由氮化钛构成的反射防止膜，其设置在所述布线上；以及

氧化硅膜，其设置在所述反射防止膜上，

在形成于所述氧化硅膜的第一开口部以及形成于所述反射防止膜的第二开口部在俯视观察时重叠的位置处形成有使所述布线露出而成的焊盘部，

在所述反射防止膜上的与所述氧化硅膜的对置面和所述反射防止膜的在所述第二开口部露出的露出面中的一方或者双方的至少一部分处形成有与所述反射防止膜中相比悬挂键较少的金属氮化物区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述对置面形成有所述悬挂键较少的金属氮化物区域。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述悬挂键较少的金属氮化物区域由氮化钛、氮化钽、氮化钼、氮化钨中的任意氮化物形成。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述氧化硅膜上设置有由氮化硅膜构成的保护膜，

在形成于所述保护膜的第三开口部、所述第一开口部以及所述第二开口部在俯视观察时重叠的位置处形成有所述焊盘部。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法具有如下的工序：

布线工序，在衬底上形成布线；

反射防止膜形成工序，在所述布线上，通过使用了氩气和氮气的反应性溅射法来形成由氮化钛构成的反射防止膜；

在所述反射防止膜上，通过与所述反射防止膜的形成时相比增加了氮气相对于氩气的比例的反应性溅射法，来形成与所述反射防止膜中相比悬挂键较少的金属氮化物膜的工序；

氧化膜形成工序，在所述悬挂键较少的金属氮化物膜上形成氧化硅膜；以及

开口部形成工序，贯穿所述氧化硅膜、所述悬挂键较少的金属氮化物膜以及所述反射防止膜而设置开口，所述开口在底面使所述布线露出。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述悬挂键较少的金属氮化物膜的工序中，通过使用了含有钛的靶的反应性溅射法来形成氮化钛膜。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法具有如下的工序：

布线工序，在衬底上形成布线；

反射防止膜形成工序，在所述布线上形成由氮化钛构成的反射防止膜；

通过对所述反射防止膜的表面进行氮化处理，来形成与所述反射防止膜中相比悬挂键较少的金属氮化物膜的工序；

氧化膜形成工序，在所述悬挂键较少的金属氮化物膜上形成氧化硅膜；以及

开口部形成工序，贯穿所述氧化硅膜、所述悬挂键较少的金属氮化物膜以及所述反射防止膜而设置开口，所述开口在底面使所述布线露出。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法具有如下的工序：

布线工序，在衬底上形成布线；

反射防止膜形成工序，在所述布线上形成由氮化钛构成的反射防止膜；

氧化膜形成工序，在所述反射防止膜上形成氧化硅膜；

开口部形成工序，贯穿所述氧化硅膜和所述反射防止膜而设置开口，所述开口在底面使所述布线露出；以及

通过对在所述开口内露出的所述反射防止膜进行氮化处理，来形成与所述反射防止膜中相比悬挂键较少的金属氮化物区域的工序。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述氮化处理是含氮气氛中的热处理、或者使用了含氮气体的等离子处理。

10.根据权利要求5至8中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述氧化膜形成工序后，具有保护膜形成工序，在所述保护膜形成工序中，在所述氧化硅膜上设置由氮化硅膜构成的保护膜，

在所述开口部形成工序中，贯穿所述保护膜而设置开口，所述开口在底面使所述布线露出。