[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法。该半导体装置(10)具有：衬底(1)；布线(6)，其设置在衬底(1)上；由氮化钛构成的反射防止膜(7)，其设置在布线(6)上；以及氧化硅膜(3)，其设置在反射防止膜(7)上，在形成于氧化硅膜(3)的第一开口部(91)以及形成于反射防止膜(7)的第二开口部(92)在俯视观察时重叠的位置处形成有使布线(6)露出而成的焊盘部(8)，在反射防止膜(7)上的与氧化硅膜(3)的对置面和反射防止膜(7)的在第二开口部(92)露出的露出面中的一方或者双方的至少一部分处形成有由与反射防止膜(7)中相比悬挂键较少的金属氮化物构成的悬挂键较少的金属氮化物区域(7a)。

技术领域

本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，作为半导体装置，具有设置于衬底上的由铝或者铝合金构成的布线、设置于布线上的由氮化钛构成的反射防止膜、设置于反射防止膜上的氧化硅膜、以及设置于氧化硅膜上的氮化硅膜，在形成于氮化硅膜的开口部、形成于氧化硅膜的开口部以及形成于反射防止膜的开口部在俯视观察时重叠的位置处形成有使布线露出而成的焊盘部。

在这样的半导体装置中，有时由于高温高湿度环境下的伴随着偏压施加的长期可靠性试验(THB)，而导致形成包围开口部的反射防止膜的氮化钛腐蚀。

为了解决该问题，提出了如下的半导体装置：形成反射防止膜的氮化钛不会在开口部内露出。

例如，在专利文献1中提出了半导体装置，该半导体装置具有：第一表面保护膜，其在焊盘上形成有第一开口部；以及形成于焊盘和第一表面保护膜上的第二表面保护膜，其在焊盘上形成有第二开口部，焊盘具有第一导体膜以及形成于第一导体膜上的反射防止膜，在第一开口部的内部区域中内含有第二开口部，在第一开口部的内部区域中去除反射防止膜。

专利文献1：日本特许第5443827号

然而，在专利文献1所示的方法中，为了形成焊盘开口部而需要2次的光刻工序，存在工时会增加这样的问题。

并且，在以往的半导体装置中，特别是在由氮化钛构成的反射防止膜上设置有氧化硅膜的情况下，有时由于高温高湿度环境下的伴随着偏压施加的长期可靠性试验(THB)，而使反射防止膜成为氧化钛从而引起外观不良。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其课题在于，提供如下的半导体装置及其制造方法：即使在由氮化钛构成的反射防止膜上设置有氧化硅膜，也不容易产生形成反射防止膜的氮化钛的氧化，能够通过1次的光刻工序来形成焊盘开口部。

为了解决上述课题，本发明者反复专心研究。

其结果为，发现如下情况而想到了本发明：只要在设置于反射防止膜上的氧化膜与反射防止膜的对置面和反射防止膜的在开口部露出的露出面中的一方或者双方的至少一部分处形成与反射防止膜中相比悬挂键(未結合手)较少的金属氮化物区域即可。

另外，以下，有时为了消除冗余，简记为“悬挂键较少的金属氮化物区域”，来取代记为“与反射防止膜中相比悬挂键较少的金属氮化物区域”。

即，本发明涉及以下的事项。

一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：衬底；布线，其设置在所述衬底上；由氮化钛构成的反射防止膜，其设置在所述布线上；以及氧化硅膜，其设置在所述反射防止膜上，在形成于所述氧化硅膜的第一开口部以及形成于所述反射防止膜的第二开口部在俯视观察时重叠的位置处形成有使所述布线露出而成的焊盘部，在所述反射防止膜上的与所述氧化硅膜的对置面和所述反射防止膜的在所述第二开口部露出的露出面中的一方或者双方的至少一部分处形成有与所述反射防止膜中相比悬挂键较少的金属氮化物区域。