[发明专利]一种阵列基板的制造方法和阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个主动开关，所述制造方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极层和光刻胶层；

对所述光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层包括第一区域和第二区域，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，所述第三区域的厚度的取值范围为0.2～0.8微米；所述光刻胶层的第三区域保留厚度均一性的取值范围为25％～55％；

利用所述图案化后的光刻胶层为掩膜版，对所述源漏电极层进行图形化处理，在所述第一区域覆盖的部分形成所述主动开关的源极，在所述第二区域覆盖的部分形成所述主动开关的漏极，对所述半导体层进行图形化处理，在所述第三区域覆盖的部分形成所述主动开关的沟道区；

其中，对所述源漏电极层进行图形化处理包括两次湿法刻蚀，所述对半导体层进行图形化处理包括两次干法刻蚀，所述湿法刻蚀和所述干法刻蚀交替进行。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对光刻胶层进行图案化采用半色调掩膜工艺，且对应曝光所述第三区域所需的光照能量取值范围为37～48毫焦耳。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括执行至少一次光刻胶灰化步骤，所述光刻胶灰化步骤设置于所述湿法刻蚀与所述干法刻蚀步骤之间。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶灰化步骤中横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值的取值范围为1:0.9～1:1.5。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶灰化步骤中，刻蚀气体包括六氟化硫和氧气。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，六氟化硫的流量取值范围为200～800sccm；氧气的流量取值范围为8000～10000sccm。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个主动开关，所述制造方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层和光刻胶层；

对所述光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层包括第一区域和第二区域，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，所述第三区域的厚度的取值范围为0.2～0.8微米；所述光刻胶层的第三区域保留厚度均一性的取值范围为25％～55％；

利用所述图案化的光刻胶层掩膜，对所述源漏电极层进行图形化处理，在所述第一区域覆盖的部分形成所述主动开关的源极，在所述第二区域覆盖的部分形成所述主动开关的漏极，对所述半导体层进行图形化处理，在所述第三区域覆盖的部分形成所述主动开关的沟道区；

其中，所述对所述源漏电极层进行图形化处理包括两次湿法刻蚀；所述对所述半导体层进行图形化处理包括两次干法刻蚀；所述湿法刻蚀和所述干法刻蚀交替进行；其中，还包括执行至少一次光刻胶灰化步骤；

所述光刻胶灰化步骤中，横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值的取值范围为1:0.9～1:1.5，刻蚀气体包括六氟化硫和氧气；

所述横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值为1:1.5时，六氟化硫与氧气的流量比的取值范围为0.02～0.1。