[发明专利]一种阵列基板的制造方法和阵列基板

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制造方法和阵列基板，该制造方法包括：提供一基板；在基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极层和光刻胶层；对光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层，图案化的光刻胶层包括第一区域和第二区域，以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域，第三区域的厚度的取值范围为0.2～0.8微米；利用图案化的光刻胶层掩膜，对源漏电极层和半导体层进行图形化处理，以在第一区域覆盖的部分形成主动开关的源极，在第二区域覆盖的部分形成主动开关的漏极，在第三区域覆盖的部分形成主动开关的沟道区。本发明实施例提供的制造方法，通过控制光刻胶层各部分的厚度，降低了主动开关的漏电流，提高了主动开关的电性能稳定性。

技术领域

本发明实施例涉及主动开关技术，尤其涉及一种阵列基板的制造方法和阵列基板。

背景技术

主动开关是显示面板的关键器件，对显示面板的工作性能具有十分重要的作用，而随着电子设备的快速发展，人们要求电子设备的功耗越低越好，续航能力越高越好，因此也要求电子设备中的显示面板的低功耗。

显示面板中设置有主动开关阵列基板，然而现有主动开关阵列基板的主动开关的漏电流相对较大，当光线照射到主动开关上时还会产生光生载流子，进一步增大主动开关的漏电流，导致显示面板的功耗较大，还导致主动开关的稳定性能差。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法和阵列基板，以降低阵列基板上主动开关的漏电流以及提高主动开关的稳定性。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，该阵列基板包括多个主动开关，该阵列基板的制造方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层和光刻胶层；

对所述光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层包括第一区域和第二区域，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，所述第三区域的厚度的取值范围为0.2～0.8微米；

利用所述图案化后的光刻胶层为掩膜版，对所述源漏电极层进行图形化处理，在所述第一区域覆盖的部分形成所述主动开关的源极，在所述第二区域覆盖的部分形成所述主动开关的漏极，对所述半导体层进行图形化处理，在所述第三区域覆盖的部分形成所述主动开关的沟道区。

进一步地，所述对光刻胶层进行图案化采用半色调掩膜工艺，且对应曝光所述第三区域所需的光照能量取值范围为37～48毫焦耳。

进一步地，对所述源漏电极层进行图形化处理包括对所述源漏电极层进行至少一次湿法刻蚀；对所述半导体层进行图形化处理包括对所述半导体层进行至少一次干法刻蚀。

进一步地，所述制造方法包括两次干法刻蚀和两次湿法刻蚀，且所述干法刻蚀和所述湿法刻蚀交替进行。

进一步地，所述制造方法还包括执行至少一次光刻胶灰化步骤，所述光刻胶灰化步骤设置于所述湿法刻蚀与所述干法刻蚀步骤之间。

进一步地，所述光刻胶灰化步骤中横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值的取值范围为1:0.9～1:1.5。

进一步地，所述光刻胶灰化步骤中，刻蚀气体包括六氟化硫和氧气。

进一步地，六氟化硫的流量取值范围为200～800sccm；氧气的流量取值范围为8000～10000sccm。

进一步地，所述横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值为1:0.9时，所述刻蚀气体为氧气；所述横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值为1:1.5时，所述刻蚀气体为六氟化硫和氧气，且六氟化硫与氧气的流量比的取值范围为0.02～0.1。

进一步地，所述光刻胶层的保留厚度的取值范围为0.4～0.8微米时，所述光刻胶层的保留厚度每减少0.1微米，所需曝光能量为1.5毫焦耳。