[发明专利]石塑地板的对花热压工艺在审
申请号: | 201810197153.8 | 申请日: | 2018-03-10 |
公开(公告)号: | CN110238935A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 戴会斌;章忠飞;赵培东 | 申请(专利权)人: | 浙江晶通塑胶有限公司 |
主分类号: | B28B3/22 | 分类号: | B28B3/22;B44C1/24 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 戚小琴 |
地址: | 314516 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜层 对花 光标 热压工艺 石塑地板 耐磨层 压纹板 石塑基材 图案 边缘标记 表面压纹 材料利用 材料制备 热压复合 印刷图案 准确度 热压机 刻制 底面 堆叠 热压 对准 下放 制造 生产 | ||
1.一种石塑地板的对花热压工艺,其特征是:包括如下步骤:
步骤A:各层材料制备,生产制造石塑基材层、耐磨层、彩膜层,在彩膜层印刷图案时,在彩膜层边缘标记第一光标;
步骤B:压纹板制点,在压纹板底面与彩膜层上第一光标所对应的图案的位置刻制第二光标;
步骤C:对花,从上至下放置压纹板、耐磨层、彩膜层、石塑基材层,并将彩膜层上的第一光标和第二光标进行对准;
步骤D:热压,将步骤C中堆叠好的各层材料利用热压机进行热压复合;
步骤E:淋膜,在热压完成后的耐磨层表面淋膜UV固化层;
步骤F:分片开槽,对淋膜后的石塑地板进行相应尺寸的分片并进行开槽。
2.根据权利要求1所述的石塑地板的对花热压工艺,其特征是:所述步骤D中的热压温度处于130℃-140℃之间,压强处于8MPa-10MPa之间。
3.根据权利要求2所述的石塑地板的对花热压工艺,其特征是:所述步骤D中热压完成后温度降低至25℃-30℃之间。
4.根据权利要求1所述的石塑地板的对花热压工艺,其特征是:所述步骤C中彩膜层和压纹板第一光标和第二光标对准的过程包括:步骤C1:将压纹板翻面,使其带有第二光标的底面向上;步骤C2:将耐磨层和彩膜层翻面;步骤C3:将彩膜层上的第一光标和第二光标进行对准;步骤C4:在彩膜层朝向压纹板的一侧表面边缘粘接双面胶,并将彩膜层粘接于压纹板。
5.根据权利要求1所述的石塑地板的对花热压工艺,其特征是:所述步骤E淋膜完成后,将石塑地板静置于23℃-25℃的环境中24小时。
6.根据权利要求1所述的石塑地板的对花热压工艺,其特征是:所述步骤A中的石塑基材层由以下重量份的原料组成:聚氯乙烯50-65份,石粉150-190份,钙锌稳定剂6-8份,硬脂酸0.35-0.65份,PVC改性剂5-8份,炭黑0.2-0.4份,聚乙烯蜡0.6-0.8份;所述PVC改性剂为以甲基丙烯酸甲啼为主体的丙烯酸树脂。
7.根据权利要求1所述的石塑地板的对花热压工艺,其特征是:所述步骤A中石塑基材层的生产步骤包括:
步骤A1:配料,将聚氯乙烯、石粉、钙锌稳定剂、硬脂酸、PVC改性剂、炭黑以及聚乙烯蜡进行称重并混合;
步骤A2:高速升温搅拌,将步骤A1中的混合料投入搅拌机内逐渐升温至110℃-120℃并以2000转/分钟的速度进行高速搅拌;
步骤A3:低速降温搅拌,在高速升温搅拌之后,逐渐降温至40℃-50℃并以200转/分钟的速度进行低速搅拌;
步骤A4:初步成型,将搅拌后的混合料投入至双螺杆挤出机内挤出成型;
步骤A5:定厚度,将初步成型的片料通过两根定厚辊之间确定石塑基材的厚度;
步骤A6:空气冷却,在25℃的室温下进行冷却;
步骤A7:裁切,根据实际所需将冷却之后的石塑基材进行裁切成定长。
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