[发明专利]输入输出前级驱动电路有效

专利信息
申请号: 201810199044.X 申请日: 2018-03-12
公开(公告)号: CN110266188B 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 李敏娜 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 宋珊珊;王珺
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 输入输出 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种输入输出前级驱动电路,其特征在于,包括:

第一驱动电路,所述第一驱动电路的输入端与第一输入电压连接;

第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极与电源电压连接;

上拉调整单元,所述第一PMOS管的栅极经由所述上拉调整单元与所述第一驱动电路的输出端连接,其中,所述上拉调整单元用于调整所述第一PMOS管的栅极输入信号的上升和下降时间;

第二驱动电路,所述第二驱动电路的输入端与第二输入电压连接;

第一NMOS管,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接到第一节点,所述第一节点作为电路的输出端口;

下拉调整单元,所述第一NMOS管的栅极经由所述下拉调整单元与所述第二驱动电路的输出端连接,其中,所述下拉调整单元用于调整所述第一NMOS管的栅极输入信号的上升和下降时间;以及

电阻,设置在所述第一节点和第一PMOS管之间以及设置在所述第一节点和第一NMOS管之间;

其中,所述上拉调整单元包括至少一个上拉精调电路,所述上拉精调电路包括:与非门,所述与非门的一输入端口连接到所述第一驱动电路与所述第一PMOS管的栅极之间,并且所述与非门的输出端悬空;以及端口信号控制接口,与所述与非门的另一输入端口连接,用于向所述与非门提供执行与非逻辑运算的控制信号。

2.如权利要求1所述的输入输出前级驱动电路,其特征在于,所述上拉调整单元包括至少一个上拉粗调电路,所述上拉粗调电路包括:

电容器,所述电容器的一端连接到所述第一驱动电路与所述第一PMOS管的栅极之间;

第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极与所述电容器另一端连接,所述第二NMOS管的源极接地;以及

开关信号控制接口,与所述第二NMOS管的栅极连接,用于提供控制所述第二NMOS管导通和截止的开关信号。

3.如权利要求2所述的输入输出前级驱动电路,其特征在于,所述上拉调整单元包括三个所述上拉粗调电路。

4.如权利要求1所述的输入输出前级驱动电路,其特征在于,所述上拉调整单元包括三个所述上拉精调电路。

5.如权利要求1所述的输入输出前级驱动电路,其特征在于,所述下拉调整单元包括至少一个下拉粗调电路,所述下拉粗调电路包括:

电容器,所述电容器的一端连接到所述第二驱动电路与所述第一NMOS管的栅极之间;

第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极与所述电容器另一端连接,所述第二NMOS管的源极接地;以及

开关信号控制接口,与所述第二NMOS管的栅极连接,用于提供控制所述第二NMOS管导通和截止的开关信号。

6.如权利要求5所述的输入输出前级驱动电路,其特征在于,所述下拉调整单元包括三个所述下拉粗调电路。

7.如权利要求1、5或6所述的输入输出前级驱动电路,其特征在于,所述下拉调整单元还包括至少一个下拉精调电路,所述下拉精调电路包括:

与非门,所述与非门的一输入端口连接到所述第二驱动电路与所述第一NMOS管的栅极,所述与非门的输出端悬空;以及

端口信号控制接口,与所述与非门的另一输入端口连接,用于向所述与非门提供执行与非逻辑运算的控制信号。

8.如权利要求7所述的输入输出前级驱动电路,其特征在于,所述下拉调整单元包括三个所述下拉精调电路。

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