[发明专利]一种制膜方法以及成膜装置

说明书

本发明涉及一种制膜方法以及采用上述制膜方法的制膜装置，通过制膜方法将待测薄膜的厚度与预设厚度进行比对，判断形成的薄膜厚度是否与预期的薄膜厚度一致，从而决定调整检测区域的接地线，调整等离子体在台板上形成薄膜时的厚度，通过调整接地线的数量，改变等离子体导走的电荷量，进而使得获取的薄膜厚度与预设厚度匹配；通过成膜装置在台板以及金属框体上设置用于活性连接接地线的装置，使得薄膜的形成更加平整，即使得薄膜的均匀性较高，提升了薄膜晶体管的品质。这样，可以有效解决由于设备腔室环境的变化、部件的差异、部件老化等因素对成膜等离子体的分布产生局部异常的问题，进而改善了成膜的均匀性，提高了薄膜晶体管的品质。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种制膜方法以及采用上述制膜方法的成膜装置。

背景技术

随着液晶显示屏幕的发展，超薄、重量轻、低功耗的屏幕需求不断被提出，薄膜晶体管的制作水平直接决定了显示屏幕的质量。在薄膜晶体管制作过程中，CVD(ChemicalVapor Deposition，化学气相淀积)薄膜的质量对薄膜晶体管的品质有着直接影响。其中，PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)是普遍使用的成膜方法，其借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少以及不易龟裂的特点，因此在面板行业内广泛使用。对于PECVD来说，薄膜膜厚均匀性会直接影响薄膜晶体管的品质。膜厚均匀性的好坏对器件性能，刻蚀效果，痕迹效果等有直接影响。而影响膜厚均匀性的因素很多，例如：成膜台板成膜温度分布、成膜压力、成膜气体流量、成膜电源功率等。在PECVD中，等离子体的分布更会直接影响膜厚均匀性的分布。但是，由于设备腔室环境的变化，部件的差异，部件老化等因素，会对成膜等离子体的分布产生局部恶化影响，尤其是薄膜的边缘区域，进而导致面内成膜均匀性的变差，影响薄膜晶体管的品质。

发明内容

基于此，有必要提供一种改善成膜均匀性的制膜方法以及采用上述制膜方法的成膜装置。

一种制膜方法，包括：对台板上待测薄膜的厚度进行检测，获取待测薄膜的多个检测区域的厚度值；根据多个所述检测区域的厚度值与预设厚度值的比较结果，调整台板上的接地线接地的数量。

在其中一个实施例中，所述根据多个所述检测区域的厚度值与预设厚度值的比较结果，调整接地线接地的数量的步骤包括：将多个所述检测区域的厚度值逐一与所述预设厚度值对比，当所述检测区域的厚度值与所述预设厚度值不匹配时，调整对应的所述检测区域的接地线的数量。

在其中一个实施例中，所述根据多个所述检测区域的厚度值与预设厚度值的比较结果，调整接地线接地的数量的步骤包括：将多个所述检测区域的厚度值逐一与预设厚度值做差，获取多个厚度差值；检测厚度差值是否处于预设范围内，当厚度差值超出所述预设范围时，则检测厚度差值是否大于第一阈值以及是否小于第二阈值，当所述厚度差值大于所述第一阈值时，增加对应的所述检测区域的接地线的数量；当所述厚度差值小于所述第二阈值，减少对应的所述检测区域的接地线的数量。

在其中一个实施例中，所述对台板上的待测薄膜的进行厚度检测，获取待测薄膜的多个检测区域的厚度值之前包括：将至少一所述接地线与所述台板连接；采用射频电源将原材料气体电离成等离子体，以使等离子体于台板上沉积为待测薄膜。

采用上述制膜方法，通过将待测薄膜的厚度与预设厚度进行比对，判断形成的薄膜厚度是否与预期的薄膜厚度一致，从而决定调整检测区域的接地线，调整等离子体在台板上形成薄膜时的厚度，通过调整接地线接地的数量，改变等离子体导走的电荷量，进而使得获取的薄膜厚度与预设厚度匹配。