[发明专利]可挠性电子装置及其制作方法

权利要求书

1.一种可挠性电子装置，包括：

一保护层；

一可挠性基板，设置于该保护层上；以及

一显示元件层，设置于该可挠性基板上，

其中该可挠性基板具有一弯折区以及该弯折区相对两侧的两个平坦区，该保护层位于该可挠性基板的该弯折区中，该保护层位于该可挠性基板弯折后背离于所述显示元件层一侧的内表面，且该保护层未设置于该可挠性基板的所述两个平坦区中；其中于该弯折区中该可挠性基板具有一第一厚度，于所述两个平坦区中该可挠性基板具有一第二厚度，该第二厚度大于该第一厚度；该保护层嵌入于所述可挠性基板中。

2.如权利要求1所述的可挠性电子装置，其中该保护层为不包含碳成份的无机材料层。

3.如权利要求2所述的可挠性电子装置，其中该保护层的材质选自于由氧化硅、氮化硅、氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化钛、氧化铝、氧化钽、氧化锆、氧化铪及氧化钼所组成的群组中至少其中之一。

4.如权利要求1所述的可挠性电子装置，其中所述保护层的底面切齐于所述可挠性基板的底面。

5.如权利要求4所述的可挠性电子装置，还包括一支撑膜，该支撑膜与该保护层设置于该可挠性基板的同一侧，且该支撑膜对应位于所述两个平坦区。

6.如权利要求5所述的可挠性电子装置，其中该支撑膜的厚度大于该保护层的厚度。

7.一种可挠性电子装置，包括：

一承载基板；

一牺牲层，设置于该承载基板上，且该牺牲层为一含碳无机材料层；

一保护层，设置于该牺牲层上；

一可挠性基板，设置于该保护层上；以及

一显示元件层，设置于该可挠性基板上；

其中，所述保护层为不包含碳成分的无机材料层；其中该可挠性基板具有一弯折区以及该弯折区相对两侧的两个平坦区，该保护层位于该可挠性基板的该弯折区中，且该保护层未设置于该可挠性基板的所述两个平坦区中；该保护层位于该可挠性基板弯折后背离于所述显示元件层一侧的内表面，该保护层嵌入于所述可挠性基板中。

8.如权利要求7所述的可挠性电子装置，其中该牺牲层的材料为石墨、纳米碳管或碳化硅。

9.如权利要求7所述的可挠性电子装置，其中该保护层的材质选自于由氧化硅、氮化硅、氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化钛、氧化铝、氧化钽、氧化锆、氧化铪及氧化钼所组成的群组中至少其中之一。

10.如权利要求7所述的可挠性电子装置，其中该牺牲层为一多层结构，该牺牲层还包括一含氢非结晶硅层位于该保护层与该含碳无机材料层之间。

11.如权利要求10所述的可挠性电子装置，该牺牲层还包括一含氢氮化硅层位于该含碳无机材料层与该含氢非晶硅层之间。

12.如权利要求11所述的可挠性电子装置，其中该含氢氮化硅层的氢离子浓度大于1×10²²cm^-3，该含氢非晶硅层的氢离子浓度小于1×10²¹cm^-3。

13.如权利要求7所述的可挠性电子装置，其中该保护层全面覆盖该可挠性基板。

14.如权利要求7所述的可挠性电子装置，其中于该弯折区中该可挠性基板具有一第一厚度，于所述两个平坦区中该可挠性基板具有一第二厚度，该第二厚度大于该第一厚度。