[发明专利]可挠性电子装置及其制作方法有效
申请号: | 201810201173.8 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN108336245B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 陈发祥;林世亮 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;张福根 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠性 电子 装置 及其 制作方法 | ||
一种可挠性电子装置,包括一保护层、一可挠性基板、一显示元件层。可挠性基板设置于保护层上。显示元件层设置于可挠性基板上。可挠性基板具有弯折区以及弯折区相对两侧的两个平坦区,保护层位于可挠性基板的弯折区中,且保护层未设置于可挠性基板的平坦区中。
技术领域
本发明是有关于一种电子装置及其制作方法,且特别是有关于一种可挠性电子装置及其制作方法。
背景技术
近年来,随着网络及通信技术的快速发展,行动电子装置的显示面板朝向可挠式显示技术发展。由于可挠式显示面板具有可弯曲及可折叠的特性,体积更小,携带方便,已成为新一代显示技术的发展重点。
可挠式显示面板的制作过程中,例如将一可挠性基板形成于一承载基板上,当完成元件工艺之后,可再以激光剥离技术(Laser lift-off,LLO)使可挠性基板与承载基板之间易于分离,然通过此方法激光剥离技术设备价格较高,且产能低。又例如可以先设置离型材料和接着材料,再将可挠性基板设置于离型材料和接着材料上,当完成元件工艺之后,通过切割适当的位置,可再使可挠性基板与承载基板之间易于分离,然通过此方法制作由于尚需保留接着区,基板的有效利用面机会较小。因此,开发出适合的可挠性基板工艺技术是刻不容缓的。
再者,为了使可挠性基板具有更好的弯折效果,可挠性基板的弯折区的背面未贴附背板,然而,由于可挠性基板的背面裸露,因而容易使水气渗透至可挠性基板中,造成可挠性基板吸水量过高,使得金属线路层与可挠性基板的接合性下降而容易剥离。
发明内容
本发明是有关于一种可挠性电子装置及其制作方法,可提高可挠性电子装置的可靠度。
本发明是有关于一种可挠性电子装置及其制作方法,可减少可挠性电子装置的最小弯折半径,并可避免水气渗透至可挠性基板中。
根据本发明的一方面,提出一种可挠性电子装置,包括一保护层、一可挠性基板、一显示元件层。可挠性基板设置于保护层上。显示元件层设置于可挠性基板上。可挠性基板具有弯折区以及弯折区相对两侧的二平坦区,保护层位于可挠性基板的弯折区中,且保护层未设置于可挠性基板的平坦区中。
根据本发明的一方面,提出一种可挠性电子装置,包括一承载基板、一牺牲层、一保护层、一可挠性基板以及一显示元件层。牺牲层设置于承载基板上,且牺牲层为一含碳无机材料层。保护层设置于牺牲层上。可挠性基板设置于保护层上。显示元件层设置于可挠性基板上。
根据本发明的一方面,提出一种可挠性电子装置的制作方法,包括下列步骤。形成一牺牲层于一承载基板上,牺牲层为一含碳无机材料层,牺牲层的材料为石墨、纳米碳管或碳化硅。形成一保护层于牺牲层上。形成一可挠性基板于保护层上。形成一显示元件层于可挠性基板上,且可挠性基板位于显示元件层与保护层之间。提供一微波能量至牺牲层,使牺牲层与保护层之间形成一离型界面,以及使保护层与牺牲层分离。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特举实施例,并配合所附附图详细说明如下:
附图说明
图1A示出依照本发明一实施例的可挠性电子装置的制作方法的流程方块图。
图1B至图1D示出依照图1A的可挠性电子装置的制作方法的剖面示意图。
图2A至图2B示出依照本发明另一实施例的可挠性电子装置的制作方法的剖面示意图。
图3A至图3B示出依照本发明另一实施例的可挠性电子装置的制作方法的剖面示意图。
图4A至图4C示出依照本发明另一实施例的可挠性电子装置的制作方法的剖面示意图。
图4D示出图4C的可挠性电子装置呈弯折状的示意图。
附图标记说明:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择