[发明专利]阵列基板有效
申请号: | 201810201256.7 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN108490674B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 邱孝豪;简钰峰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G09F9/00 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 | ||
一种阵列基板包含基板、遮光图案层、阵列以及多数遮蔽块。基板包含第一区与第二区,且第一区环绕于第二区。遮光图案层位于基板上。遮光图案层包含多数第一裸露区,且此些第一裸露区对应于基板的第一区。阵列位于基板的第二区。多数遮蔽块对应于此些第一裸露区设置以遮蔽此些第一裸露区。
技术领域
本发明是关于半导体基板制造技术,特别是一种阵列基板。
背景技术
阵列基板多是通过俗称黑色矩阵(Black Matrix)的遮光图案层来遮挡住无需用以显示的区块,以防止色材混色并且提升整体的显示对比度。
一般而言,阵列基板中无需用以显示的区块多位于阵列基板的周边,因而可于阵列基板中划分出位于外围的非可视区以及位于内部的可视区。虽然,阵列基板的可视区内亦含有无需用以显示的区块,但其无需用以显示的区块的面积相较于非可视区的面积要小很多。
发明内容
在阵列基板的制造过程中,遮光图案层一般需经过旋转涂布、烘烤等步骤。然而,发明人发现阵列基板在经过烘烤工艺时,遮光图案层于非可视区处容易出现逸气(out-gas)现象,且此逸气现象会致使遮光图案层出现爆膜的情况,进而导致后续配置于其上的走线因此而断线或是具有不平整的瑕疵。
有鉴于此,本发明的一实施例提出一种阵列基板。在一实施例中,一种阵列基板包含基板、遮光图案层、阵列以及多数遮蔽块。基板包含第一区与第二区,且第一区环绕于第二区。遮光图案层位于基板上。遮光图案层包含多数第一裸露区,且此些第一裸露区对应于基板的第一区。阵列位于基板的第二区。多数遮蔽块位于基板的第一区,且此些遮蔽块对应于多数第一裸露区设置以遮蔽此些第一裸露区。其中,此些遮蔽块的材质包含金属。
综上所述,本发明的一实施例的阵列基板,通过遮光图案层中多个第一裸露区的配置来缩减遮光图案层于基板的第一区中所占的面积,以降低逸气现象的发生,并且藉由对应于此些第一裸露区设置的遮蔽块来遮挡住此些第一裸露区,以避免漏光。
以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征及优点,其内容足以使任何本领域技术人员了解本发明的技术内容并据以实施,且根据本说明书所揭露的内容、申请专利范围及图式,任何本领域技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。
附图说明
图1为阵列基板的一实施例的俯视示意图。
图2为图1中遮蔽块为走线时的一实施例的局部放大示意图。
图3为图2中沿AA剖线的一实施例的剖面示意图。
图4为图1中遮蔽块为走线时的另一实施例的局部放大示意图。
图5为图4中沿BB剖线的一实施例的剖面示意图。
图6为图1中遮蔽块为虚设块的一实施例的局部放大示意图。
图7为图1中遮蔽块为虚设块的另一实施例的局部放大示意图。
图8为图1中遮蔽块为虚设块的又一实施例的局部放大示意图。
图9为图8中沿CC剖线的一实施例的剖面示意图。
图10为图8中沿CC剖线的另一实施例的剖面示意图。
其中,附图标记:
100 阵列基板 110 基板
110A 第一区 110B 第二区
120 遮光图案层 121 第一裸露区
122 第二裸露区 130 阵列
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