[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201810203165.7 | 申请日: | 2015-03-25 |
公开(公告)号: | CN108417477B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 小林健司;奥谷学 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
1.一种基板处理装置,利用冲洗液对基板实施处理,其特征在于,
具有:
基板保持单元,将所述基板保持为水平;
旋转单元,使所述基板保持单元所保持的所述基板围绕通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转;
有机溶剂供给单元,向所述基板保持单元所保持的所述基板的上表面供给表面张力比所述冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂;
加热单元,对所述基板从下方进行加热;
控制单元,控制所述有机溶剂供给单元、所述旋转单元以及所述加热单元,
所述控制单元执行有机溶剂置换工序、浸液工序、薄膜化工序、基板高温化工序以及有机溶剂排除工序,
在该有机溶剂置换工序中,由所述有机溶剂供给单元将所述有机溶剂向所述基板的上表面供给,以在所述基板上形成覆盖所述基板的上表面的所述有机溶剂的液膜,利用所述有机溶剂置换所述冲洗液;
该浸液工序与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该浸液工序中,使所述基板停止旋转或使所述基板以浸液速度旋转;
该薄膜化工序在所述浸液工序之后与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该薄膜化工序中,由所述旋转单元使所述基板在停止向所述基板的上表面供给所述有机溶剂的状态下以比所述浸液工序中的所述基板的旋转速度更快的第二旋转速度旋转;
在该基板高温化工序中,在形成所述有机溶剂的液膜后,由所述加热单元使所述基板的上表面到达比所述有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度,由此,在所述有机溶剂的液膜的整个区域,在所述有机溶剂的液膜和所述基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜,并且,使所述有机溶剂的液膜不会分裂地浮起在所述有机溶剂的蒸发气体膜的上方;
在该有机溶剂排除工序中,一边将所述有机溶剂的液膜不会分裂地维持液块状态一边将所述有机溶剂的液膜从所述基板的上方排除。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制单元在所述基板的旋转停止的状态下执行所述基板高温化工序。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制单元执行:基板加热工序,与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该基板加热工序中,由所述加热单元以使所述基板的上表面到达比所述有机溶剂的沸点低的规定的第二温度的方式对所述基板进行加热;以及冲洗工序,在所述有机溶剂置换工序之前执行向所述基板的上表面供给冲洗液,
所述控制单元在执行所述冲洗工序中开始所述基板加热工序。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一温度是如下温度,即,在所述基板高温化工序中所述有机溶剂的液膜不沸腾。
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