[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

本发明提供能抑制或防止图案的倒塌并使基板的表面良好地干燥的基板处理方法及装置。该方法包括：有机溶剂置换工序，将表面张力比在保持为水平姿势的基板的上表面附着的冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂向基板的上表面供给，以在基板上形成覆盖基板的上表面的有机溶剂的液膜，利用有机溶剂置换冲洗液；基板高温化工序，在形成有机溶剂的液膜后，使基板的上表面到达比有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度，由此，在有机溶剂的液膜的整个区域，在有机溶剂的液膜和基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜，并且使有机溶剂的液膜浮起在有机溶剂的蒸发气体膜的上方；有机溶剂排除工序，将浮起的有机溶剂的液膜从基板的上表面的上方排除。

本申请是申请日为2015年3月25日、申请号为201510131915.0、发明名称为“基板处理方法以及基板处理装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等基板进行处理的基板处理方法以及基板处理装置。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，向半导体晶片等的基板的表面供给处理液，使用处理液对该基板的表面进行处理。

例如，对基板一张一张地进行处理的单张式的基板处理装置具有：旋转卡盘，将基板保持为大致水平，并使该基板旋转；喷嘴，用于向由该旋转卡盘旋转的基板的表面供给处理液。例如，向由旋转卡盘保持的基板供给药液，然后供给冲洗液，由此基板上的药液被冲洗液置换。然后，进行用于排除基板上的冲洗液的旋转干燥处理。在旋转干燥处理中，通过使基板高速旋转，甩掉在基板上附着的冲洗液来除去(干燥)。在这样的旋转干燥处理中，不能充分除去进入基板的表面的微细图案的间隙的冲洗液，结果可能发生干燥不良。

因此，如美国专利第5,882,433号记载那样，提出了如下方法，即，向冲洗处理后的基板的表面供给异丙醇(isopropyl alcohol：IPA)液等的常温的有机溶剂，将进入基板的表面的图案的间隙的冲洗液置换为有机溶剂，来使基板的表面干燥。

发明内容

在旋转干燥处理中，相邻的图案彼此拉动接触而有时导致发生图案倒塌。推定其原因之一在于由在相邻的图案间存在的液体产生的表面张力。如美国专利第5,882,433号那样在旋转干燥前将有机溶剂向基板供给的情况下，表面张力低的有机溶剂存在于图案间，所以使相邻的图案彼此拉动的力弱，结果，认为能够防止图案倒塌。

但是，近年来，为了高集成化，在半导体基板的表面形成有微细且高宽比高的微细图案(凸状图案、线状的图案等)。由于微细且高宽比高的微细图案容易倒塌，所以若仅在旋转干燥处理之前向基板供给有机溶剂，则可能无法充分抑制这样的微细图案的倒塌。

因此，本发明的目的在于，提供一种能够抑制或防止图案的倒塌并且使基板的表面良好地干燥的基板处理方法以及基板处理装置。

本发明提供一种基板处理方法，包括：

有机溶剂置换工序，将表面张力比在保持为水平姿势的基板的上表面上附着的冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂向所述基板的上表面供给，以在所述基板上形成覆盖所述基板的上表面的所述有机溶剂的液膜，利用所述有机溶剂置换所述冲洗液；

基板高温化工序，在形成所述有机溶剂的液膜后，使所述基板的上表面到达比所述有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度，由此，在所述有机溶剂的液膜的整个区域，在所述有机溶剂的液膜和所述基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜，并且使所述有机溶剂的液膜浮起在所述有机溶剂的蒸发气体膜的上方，

有机溶剂排除工序，将浮起的所述有机溶剂的液膜从所述基板的上表面的上方排除。