[发明专利]一种阵列基板的制备方法及阵列基板在审
| 申请号： | 201810203613.3 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108417586A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李小龙;赵梦;李良坚;刘利宾 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲层 制备 非晶硅层 形核位置 阵列基板 遮光层 晶粒 凸起结构 遮光膜层 驱动薄膜晶体管 尺寸均匀性 图形化处理 多晶硅层 激光工艺 矩阵排列 阈值电压 低灰阶 非晶硅 均匀性 沉积 沟道 基底 形核 显示器 保证 | ||
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上沉积遮光膜层，并对所述遮光膜层图形化处理形成遮光层，所述遮光层包括形成于所述第一缓冲层上的多个成矩阵排列、且间隔相同的凸起结构；
在所述遮光层上形成第二缓冲层；
在所述第二缓冲层上形成非晶硅层；
对所述非晶硅层进行激光工艺处理，且所述非晶硅层中以与所述凸起结构的部位为形核位置完成非晶硅向多晶硅转变并形成多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述遮光膜层厚度为200μm～300μm。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述凸起结构为圆锥状凸起，且所述圆锥状凸起的底面圆直径尺寸为2μm～5μm，所述圆锥状凸起的高度尺寸为100μm～200μm。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，每相邻的两个所述圆锥状凸起之间的间隔距离为2μm～5μm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述非晶硅层形成之后且对所述非晶硅层进行激光工艺处理之前，还包括：
对所述非晶硅层进行去氢处理。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述去氢处理包括高温退火工艺，且退火温度为400℃～450℃，退火时间为90min～120min。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述激光工艺包括准分子激光工艺，且激光能量为350mJ/cm2～450mJ/cm2。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第二缓冲层形成之后且在所述非晶硅层形成之前，还包括：
对所述第二缓冲层进行平坦化处理。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一缓冲层的材料包括SiO2，且所述第一缓冲层的厚度尺寸为400μm～500μm。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
形成于所述基底上的第一缓冲层；
形成于第一缓冲层上的遮光层，所述遮光层包括形成于所述第一缓冲层上的多个成矩阵排列、且间隔相同的凸起结构；
形成于所述遮光层上的第二缓冲层；
形成于所述第二缓冲层上的多晶硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
