[发明专利]一种阵列基板的制备方法及阵列基板

说明书

本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该制备方法包括：在基底上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上沉积遮光膜层，并对遮光膜层图形化处理形成遮光层，遮光层包括形成于第一缓冲层上的多个成矩阵排列、且间隔相同的凸起结构；在遮光层上形成第二缓冲层；在第二缓冲层上形成非晶硅层；对非晶硅层进行激光工艺处理。上述制备方法中，非晶硅层中的非晶硅以与凸起结构对应的部位为形核位置进行形核长大，形核位置固定，每相邻的形核位置之间的间距相同，形成的多晶硅层的晶粒尺寸均匀性较好，提高了驱动薄膜晶体管沟道范围内晶粒尺寸的均匀性，保证TFT的阈值电压的稳定性，可以改善显示器低灰阶画面下显示不良的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法及阵列基板。

背景技术

AMOLED显示屏具有亮度高、色域宽、分辨率低等特点，被认为是下一代显示器的最佳选择，AMOLED显示技术中的背板技术一般采用载流子迁移率较高的低温多晶硅薄膜晶体管，且LTPS-AMOLED技术同时可以应用于柔性显示器。

但是LTPS(低温多晶硅)背板制备工艺较为复杂，特别是柔性LTPS背板在进行激光晶化后多晶硅晶粒尺寸容易出现不均匀的现象，从而导致沟道范围内多晶硅晶界数目及缺陷分布差异较大，使整张玻璃基板范围内的薄膜晶体管的阈值电压分布不均匀，导致最终形成的显示屏出现在低灰阶画面下亮度不均匀(低灰阶mura)的现象。其中，低灰阶mura是影响柔性LTPS-AMOLED产品良率的较大问题，而目前一般采用消除低灰阶mura的方法就是在模组端引入DE-Mura技术，但是这样会增加整体成本，制备成本较高。因此，如何解决LTPS-AMOLED显示产品中的低灰阶mura现象是现在亟需研究的问题。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该阵列基板的制备方法中，遮光层包括多个成矩阵排列且间隔相同的凸起结构，当非晶硅层中的非晶硅进行结晶时，非晶硅层中的非晶硅以与凸起结构对应的部位为形核位置进行形核长大，形核位置固定，且每相邻的形核位置之间的间距相同，形成的多晶硅层中的晶粒的尺寸均匀性较好，提高了驱动薄膜晶体管沟道范围内晶粒尺寸的均匀性，从而有利于保证TFT的阈值电压的稳定性，进而可以改善显示器低灰阶画面下显示不良的问题。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种阵列基板的制备方法，包括：

在基底上形成第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上沉积遮光膜层，并对所述遮光膜层图形化处理形成遮光层，所述遮光层包括形成于所述第一缓冲层上的多个成矩阵排列、且间隔相同的凸起结构；

在所述遮光层上形成第二缓冲层；

在所述第二缓冲层上形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行激光工艺处理，且所述非晶硅层中以与所述凸起结构的部位为形核位置完成非晶硅向多晶硅转变并形成多晶硅层。

上述阵列基板的制备方法中，在基板上形成第一缓冲层，第一缓冲层上沉积遮光膜层，对遮光膜层进行图形化处理形成遮光层，其中遮光层表面具有多个成矩阵排列且间隔相同的凸起结构，在遮光层上形成第二缓冲层，在第二缓冲层上形成非晶硅层，然后对非晶硅层进行激光工艺处理，使非晶硅转变为非晶硅，形成非晶硅层，其中，遮光层包括多个成矩阵排列且间隔相同的凸起结构，第二缓冲层中与凸起结构对应的部分比较薄，遮光层为金属材料，具有较好的导热性，当在对非晶硅层进行激光工艺过程中，非晶硅层中的非晶硅以与凸起结构对应的部位为形核位置进行形核长大，即，非晶硅的形核位置固定，相邻的两个晶粒形成晶界，长大截止，且每相邻的两个凸起结构之间的间距相同，即，每相邻的两个形核位置之间的间距相同，则形成的多晶硅层中的晶粒的尺寸均匀性较好，提高了驱动薄膜晶体管沟道范围内晶粒尺寸的均匀性，从而有利于保证TFT的阈值电压的稳定性，进而可以改善低灰阶画面下显示不良的问题。