[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

栅结构，在该基底上，该栅结构包括栅电极与盖层，该盖层在该栅电极上；

导电元件，邻接该栅结构的一外侧表面，该导电元件包括：

下导电部；及

上导电部，电连接在该下导电部上，并邻接该盖层，该下导电部与该上导电部之间具有一界面，该界面低于该盖层的一上表面；

另一下导电部，在该栅结构相对于该外侧表面的另一外侧表面；及

绝缘层，其中该盖层具有相对的第一侧表面与第二侧表面，该上导电部在该第一侧表面上，该绝缘层在该第二侧表面上且在该另一下导电部上，

其中在一横方向上，该上导电部的尺寸是大于该下导电部的尺寸，该上导电部邻接该盖层的该上表面的一部分。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该下导电部与该上导电部分别包括不同的导电材料。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该下导电部与该上导电部之间的该界面为一横向的共平面。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该上导电部邻接该盖层的该上表面。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该盖层包括相邻的第一上表面与第二上表面，该第一上表面低于该第二上表面，其中该上导电部邻接该第一上表面，但未邻接该第二上表面。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该绝缘层不存在于该上导电部与该盖层之间。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该绝缘层与该另一下导电部之间具有一界面低于该盖层的该上表面。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体结构包括晶体管，该晶体管包括该栅结构与源/漏极，其中该导电元件电连接该源/漏极。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该栅结构还包括间隙壁，在该栅电极的一侧表面上。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

进行一蚀刻步骤移除一栅电极外侧的一基底上的一第一材料层以形成一第一开口，其中在该蚀刻步骤中，在该栅电极上方的一盖层是用作蚀刻停止层；

在该第一开口中形成一下导电部；

形成一第二材料层在该下导电部上，其中该第二材料层的形成方法包括形成一绝缘层在该第一开口中，并位于该下导电部上与该盖层的一侧表面上；

进行一另一蚀刻步骤移除该第二材料层以形成露出该下导电部的一第二开口，其中在该另一蚀刻步骤中，该盖层是用作蚀刻停止层；及

在该第二开口中形成一上导电部,

其中，该形成方法还包括在形成该第二材料层之前对该第一开口中的该下导电部进行一回蚀刻制作工艺。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其中该下导电部的形成方法包括：

形成一导电膜于该第一开口的底部与侧壁上；及

形成一导电材料填满该第一开口。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其中该导电膜与该导电材料的材质不相同。

13.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其中该上导电部的形成方法包括：

形成一导电膜于该第二开口的底部与侧壁上；及

形成一导电材料填满该第二开口。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其中该导电膜与该导电材料的材质不相同。

15.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，还包括进行一又另一蚀刻步骤移除该盖层以形成露出该栅电极的一孔洞。

16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，还包括形成另一上导电部在该孔洞中。