[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明公开一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基底、栅结构、及导电元件。栅结构在基底上。栅结构包括栅电极与盖层。盖层在该栅电极上。导电元件邻接栅结构的外侧表面。导电元件包括下导电部及上导电部。上导电部电连接在下导电部上，并邻接盖层。下导电部与上导电部之间具有一界面。界面低于盖层的一上表面。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体制作工艺的线宽的不断缩小，半导体结构包括例如晶体管或存储阵列等等的尺寸不断朝向微型化发展。然而，临界尺寸愈小，制作工艺必须愈精准，否则一个步骤的制作工艺偏移或副效应(side effect)便会使得形成的半导体装置效能不佳。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以解决上述问题。

为达上述目的，本发明提出一种半导体结构。半导体结构包括基底、栅结构、及导电元件。栅结构在基底上。栅结构包括栅电极与盖层。盖层在该栅电极上。导电元件邻接栅结构的外侧表面。导电元件包括下导电部及上导电部。上导电部电连接在下导电部上，并邻接盖层。下导电部与上导电部之间具有一界面。界面低于盖层的一上表面。

本发明还提出一种半导体结构的形成方法，其包括以下步骤。进行一蚀刻步骤移除栅电极外侧的基底上的第一材料层以形成第一开口。在该蚀刻步骤中，在栅电极上方的盖层是用作蚀刻停止层。在第一开口中形成下导电部。形成第二材料层在下导电部上。进行一另一蚀刻步骤移除第二材料层以形成露出下导电部的一第二开口，在该另一蚀刻步骤中，盖层是用作蚀刻停止层。在第二开口中形成上导电部。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附的附图详细说明如下：

附图说明

图1A至图12D为第一实施例的概念的半导体结构的形成方法的示意图；

图13为第二实施例的概念的半导体结构的剖视图；

图14A至图14C为第三实施例的概念的半导体结构及其制造方法的示意图；

图15为第四实施例的概念的半导体结构的剖视图；

图16为第五实施例的概念的半导体结构的剖视图。

具体实施方式

以下以一些实施例做说明。需注意的是，本发明并非显示出所有可能的实施例，未于本发明提出的其他实施态样也可能可以应用。再者，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此，说明书和图示内容仅作叙述实施例之用，而非作为限缩本发明保护范围之用。另外，实施例中的叙述，例如细部结构、制作工艺步骤和材料应用等等，仅为举例说明之用，并非对本发明欲保护的范围做限缩。实施例的步骤和结构各的细节可在不脱离本发明的精神和范围内根据实际应用制作工艺的需要而加以变化与修饰。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的元件做说明。

图1A至图12D绘示根据第一实施例的概念的半导体结构的形成方法。

图1A绘示半导体结构的上视图。图1B绘示半导体结构沿AB线的剖视图。