[发明专利]半导体器件及其内部电压调整方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

修调电路，其适用于产生基于代码值而调整的参考电压；以及

内部电压发生电路，其适用于基于参考电压来产生内部电压，

其中，内部电压发生电路适用于以根据操作模式而变化的分压比来将内部电压进行分压，并且适用于基于分压后的内部电压与参考电压的比较来产生内部电压，以及

其中，在调整代码值的修调操作期间，内部电压发生电路基于预目标电平来产生内部电压，预目标电平与目标电平相差校正电平的一半。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，内部电压发生电路包括分压器，所述分压器适用于以基于指示操作模式的信号而调整的分压比来将内部电压进行分压，以及

所述分压器包括：

第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器和第二电阻器串联耦接在内部电压端子与接地电压端子之间；以及

开关，其并联耦接到第一电阻器，并且适用于响应于指示操作模式的信号的激活或去激活而闭合或断开。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述修调操作期间，指示操作模式的信号被激活，并且预目标电平比目标电平低校正电平的一半。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，在修调操作之后，指示操作模式的信号在所产生的内部电压比预目标电平小时被去激活。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述修调操作期间，指示操作模式的信号被去激活，并且预目标电平比目标电平高校正电平的一半。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，在修调操作之后，指示操作模式的信号在所产生的内部电压比预目标电平大时被激活。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，校正电平与由包括所述半导体器件的多个半导体器件产生的内部电压的偏差相对应。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，内部电压的偏差与基于代码值来调整参考电压的电平成比例。

9.一种半导体器件，包括：

修调电路，其适用于产生基于代码值而调整的参考电压；以及

内部电压发生电路，其适用于基于分压后的内部电压与参考电压的比较来产生内部电压，

其中，内部电压发生电路包括分压器，所述分压器适用于以根据操作模式而调整的分压比来将内部电压进行分压，以及

所述分压器包括：

第一电阻器至第三电阻器，所述第一电阻器至第三电阻器串联耦接在内部电压端子与接地电压端子之间；

第一开关，其与第一电阻器并联耦接并且适用于响应于第一操作模式信号的激活而断开；以及

第二开关，其与第二电阻器并联耦接并且适用于响应于第二操作模式信号的激活而闭合，

其中，在调整代码值的修调操作期间，第一操作模式信号和第二操作模式信号被去激活，并且内部电压发生电路基于目标电平来产生内部电压。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，在修调操作之后，第一操作模式信号在所产生的内部电压比目标电平小预定电平时被激活。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，在修调操作之后，第二操作模式信号在所产生的内部电压比目标电平大预定电平时被激活。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，预定电平与由包括所述半导体器件的多个半导体器件产生的内部电压的偏差的一半相对应。