[发明专利]半导体器件及其内部电压调整方法

说明书

一种半导体器件可以包括：修调电路，其适用于产生基于代码值而调整的参考电压；以及内部电压发生电路，其适用于基于参考电压来产生内部电压，其中内部电压发生电路适用于以根据操作模式而变化的分压比来将内部电压进行分压，并且适用于基于分压后的内部电压与参考电压的比较来产生内部电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年5月8日提交的申请号为10-2017-0057541的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种半导体器件，具体地，涉及一种产生内部电压的半导体器件。

背景技术

从半导体器件外部提供的电源电压或接地电压的电压电平会随时因噪声或干扰而改变。因此，为了稳定地维持其电压电平，半导体器件使用外部电源电压或接地电压来产生各种电平的内部电压。例如，为了产生核心电压，诸如DRAM(动态随机存取存储器)、NAND闪存和微处理器的半导体器件将参考电压与反馈核心电压进行比较，当核心电压比参考电压电平低时升高核心电压的电平，而当核心电压比参考电压电平高时抑制核心电压的产生。因此，可以基于参考电压的电平来适当地调整所产生的内部电压的电平。

然而，在制造一个半导体器件时可能涉及各种工艺，并且可以不以相同的方式来执行每个工艺。因为要执行许多工艺，所以各个芯片中包括的晶体管的宽度、长度和离子掺杂浓度可以彼此不同。即，半导体器件可以包括具有与原始预期设计相比略微不同的阈值电压或电流供应能力的晶体管。

当半导体器件中内部电路的特性变化时，其内部电压可能具有与所设计的目标电平不同的电平。为了将可能随工艺变化而变化的内部电压的电平调整到设计目标电平，可以通过测试来感测内部电压的电平，并且可以修调针对内部电压的参考电压的电平。

例如，可以通过在半导体芯片的晶片处理步骤中的测试来调整参考电压的电平。在同一晶片上经历相同工艺的半导体芯片可能不具有相同的参考电压电平，确切地说，参考电压电平可能会在一定的分布范围内扩散。为此，在半导体器件的晶片处理步骤中使用用于调整分压比以将参考电压调谐到目标电平的参考电压修调电路。即，在晶片处理步骤中，可以使用参考电压修调电路来将参考电压调整到目标电平。

因此，需要一种使用参考电压的修调操作来更有效地减小内部电压的偏差的方法。

发明内容

各种实施例涉及一种能够减小由多个半导体器件产生的内部电压的偏差的内部电压调整方法。

根据本发明的一个实施例，一种半导体器件包括：修调电路，其适用于产生基于代码值而调整的参考电压；以及内部电压发生电路，其适用于基于参考电压来产生内部电压，其中，内部电压发生电路适用于以根据操作模式而变化的分压比来将内部电压分压，并且适用于基于分压后的内部电压与参考电压的比较来产生内部电压。

根据本发明的一个实施例，一种内部电压调整方法包括：基于与目标电平具有差值的预目标电平来由多个半导体器件产生内部电压，该差值与校正电平的一半相对应；基于所产生的内部电压来划分多个半导体器件；以及通过校正电平来调整被划分的半导体器件的内部电压。

根据本发明的一个实施例，一种内部电压调整方法包括：基于目标电平来由多个半导体器件产生内部电压；检测多个半导体器件之中所产生的内部电压比目标电平小或大偏差的一半的半导体器件；将检测到的半导体器件的内部电压调整偏差的一半。

附图说明

图1和图2是示出根据一个实施例的半导体器件的内部电压发生电路的框图。

图3是示出根据一个实施例的用于将参考电压提供给图1和图2的内部电压发生电路的修调电路的框图。

图4是示出根据一个实施例的半导体器件的框图。

图5是示出根据一个实施例的用于调整半导体器件的内部电压的方法的流程图。