[发明专利]硅片铸造方法及装置

权利要求书

1.一种硅片铸造方法，其特征在于，包括以下步骤：

将硅粉平铺放置于两块传热板之间，所述传热板可为耐高温陶瓷板或石英玻璃板，两个所述传热板相对的侧面均为光滑面；

对两块传热板分别加热，使硅粉融化为液态硅；

在液态硅凝固的过程中，保持两块传热板的温度不同。

2.根据权利要求1所述的硅片铸造方法，其特征在于，上述在液态硅凝固的过程中，两块所述传热板之间的温度差为50℃～150℃。

3.根据权利要求2所述的硅片铸造方法，其特征在于，上述对两块传热板分别加热，使硅粉融化为液态硅的过程中，对传热板的加热温度为1450℃～1650℃。

4.根据权利要求3所述的硅片铸造方法，其特征在于，上述对两块传热板分别加热，使硅粉融化为液态硅，具体包括以下步骤：

对两块传热板进行预热；

提高对两块传热板的加热温度，使硅粉融化为液态硅。

5.根据权利要求1所述的硅片铸造方法，其特征在于，上述对两块传热板分别加热之前，还包括以下步骤：

将两块传热板置于封闭环境内，并持续通入惰性气体。

6.一种实现上述权利要求1-5任一项所述硅片铸造方法的硅片铸造装置，其特征在于，包括第一加热装置、第二加热装置及两块传热板，两块所述传热板分别为第一传热板及第二传热板，所述第一传热板与所述第二传热板间隔设置，所述第一传热板与所述第二传热板之间用于平铺放置硅粉，所述第一加热装置用于加热所述第一传热板，所述第二加热装置用于加热所述第二传热板。

7.根据权利要求6所述的硅片铸造装置，其特征在于，还包括封闭容器，所述封闭容器内设有容纳腔，所述第一传热板与所述第二传热板均设于所述容纳腔内。

8.根据权利要求7所述的硅片铸造装置，其特征在于，还包括通气管，所述通气管穿设所述封闭容器，所述通气管上设有与所述容纳腔连通的输气孔，所述通气管用于向所述容纳腔内输送惰性气体。

9.根据权利要求7所述的硅片铸造装置，其特征在于，所述封闭容器为透明件，所述第一加热装置与所述第二加热装置均设于所述封闭容器外，所述第一加热装置与所述第二加热装置均为卤钨灯。

10.根据权利要求6-9任一项所述的硅片铸造装置，其特征在于，所述第一加热装置包括依次设置的预热区、融化区及凝固区，所述第二加热装置与所述第一加热装置对称设置，所述第一传热板、所述第二传热板设于所述第一加热装置与所述第二加热装置之间，所述第一传热板与所述第二传热板沿所述预热区至所述凝固区的方向移动。