[发明专利]硅片铸造方法及装置

说明书

本发明公开了一种硅片铸造方法及装置，硅片铸造方法包括以下步骤：将硅粉平铺放置于两块传热板之间；对两块传热板分别加热，使硅粉融化为液态硅；在液态硅凝固的过程中，保持两块传热板的温度不同。上述硅片铸造方法，通过将硅粉置于两块传热板之间，并对两块传热板分别加热，可保证平铺的硅粉的两侧均受热，使硅粉充分融化，同时两块传热板可对硅粉融化并形成硅片的过程进行辅助，使制成的硅片平整，而在液态硅凝固为硅片的过程中，由于两块传热板的温度不同，可控制硅片两侧的凝固结晶，形成沿硅片厚度方向形成的柱状晶，此时铸造形成的硅片厚度均匀，可提高后续利用硅片制造的电池的光电转换效率，成品性能较好。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏制造技术领域，特别是涉及一种硅片铸造方法及装置。

背景技术

在太阳能光伏等产业中，对硅片的需求量极大，除了常规的铸造硅锭切片工艺，还可利用颗粒硅带工艺制造硅片。

但传统的颗粒硅带工艺存在技术缺陷，会导致硅颗粒融化后形成的硅片的厚度不易控制，且在制造的过程中易产生孔洞，会影响成品的性能。

发明内容

基于此，本发明在于克服现有技术的缺陷，提供一种成品性能较好的硅片铸造方法及装置。

其技术方案如下：

一种硅片铸造方法，包括以下步骤：

将硅粉平铺放置于两块传热板之间；

对两块传热板分别加热，使硅粉融化为液态硅；

在液态硅凝固的过程中，保持两块传热板的温度不同。

上述硅片铸造方法，通过将硅粉置于两块传热板之间，并对两块传热板分别加热，可保证平铺的硅粉的两侧均受热，使硅粉充分融化，同时两块传热板可对硅粉融化并形成硅片的过程进行辅助，使制成的硅片平整，而在液态硅凝固为硅片的过程中，由于两块传热板的温度不同，可控制硅片两侧的凝固结晶，形成沿硅片厚度方向形成的柱状晶，此时铸造形成的硅片厚度均匀，可提高后续利用硅片制造的电池的光电转换效率，成品性能较好。

进一步地，上述在液态硅凝固的过程中，两块所述传热板之间的温度差为50℃～150℃。

进一步地，上述对两块传热板分别加热，使硅粉融化为液态硅的过程中，对传热板的加热温度为1450℃～1650℃。

进一步地，上述对两块传热板分别加热，使硅粉融化为液态硅，具体包括以下步骤：

对两块传热板进行预热；

提高对两块传热板的加热温度，使硅粉融化为液态硅。

进一步地，上述对两块传热板分别加热之前，还包括以下步骤：

将两块传热板置于封闭环境内，并持续通入惰性气体。

一种实现上述任一项所述硅片铸造方法的硅片铸造装置，包括第一加热装置、第二加热装置及两块传热板，两块所述传热板分别为第一传热板及第二传热板，所述第一传热板与所述第二传热板间隔设置，所述第一传热板与所述第二传热板之间用于平铺放置硅粉，所述第一加热装置用于加热所述第一传热板，所述第二加热装置用于加热所述第二传热板。

上述硅片铸造装置，第一传热板与第二传热板可分别对硅粉进行加热，保证硅粉的充分融化，同时由硅粉融化的液态硅在凝固时，第一传热板与第二传热板可保证凝固形成的硅片厚度均匀，而第一传热板及第二传热板分别加热，可对第一传热板及第二传热板的温度进行分别控制，再通过在凝固阶段设置第一传热板与第二传热板的温度不同，使硅片形成沿其厚度方向分布的柱状晶，此时成品的硅片的性能更好。

进一步地，上述硅片铸造装置还包括封闭容器，所述封闭容器内设有容纳腔，所述第一传热板与所述第二传热板均设于所述容纳腔内。