[发明专利]成膜装置、成膜方法以及存储介质

权利要求书

1.一种成膜装置，在形成真空气氛的纵型的反应容器内对被棚架状地保持在基板保持器具上的多个基板供给成膜气体来进行成膜，该成膜装置的特征在于，具备：

成膜气体喷出部，其设置在所述反应容器内的所述基板的保持区域的后方，用于喷出所述成膜气体；

排气口，其设置在所述基板的保持区域的前方，用于排出所述成膜气体；

旋转机构，其用于使所述基板保持器具绕纵轴进行旋转；

加热部，其将所述反应容器内加热至比从所述成膜气体喷出部喷出的所述成膜气体的温度低的温度；

第一气体喷出口，其在所述成膜气体喷出部中朝向所述反应容器内的气体降温用构件横向地开口，以使被喷出的所述成膜气体在被供给到所述基板之前与所述气体降温用构件碰撞而降温；以及

第二气体喷出口，其在所述成膜气体喷出部中以与所述第一气体喷出口不同的方向来朝向所述排气口开口，以使被喷出的所述成膜气体在被供给到所述基板之前不与所述气体降温用构件碰撞，

其中，从所述第一气体喷出口喷出的所述成膜气体在与所述气体降温用构件碰撞后沿着所述反应容器的侧壁流动并被供给到所述基板的周缘部。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述气体降温用构件是所述反应容器的侧壁。

3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述保持区域内的所述基板的后端与所述反应容器的侧壁之间的距离比该保持区域内的基板的前端与该反应容器的侧壁之间的距离大。

4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，

在所述反应容器的后方的侧壁，沿纵向设置有朝向外部鼓出的凸部，在该凸部内的所述成膜气体的扩散区域设置所述成膜气体喷出部。

5.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述第一气体喷出口朝向后方开口。

6.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述第一气体喷出口和所述第二气体喷出口各自沿上下方向设置多个，且所述第一气体喷出口与所述第二气体喷出口形成为开口率互不相同。

7.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

设置气化部和导入通路，其中，该气化部用于在所述反应容器的外部使成膜原料气化来生成第一成膜气体，该导入通路用于从所述气化部向所述成膜气体喷出部导入所述第一成膜气体，

从所述成膜气体喷出部喷出所述第一成膜气体时的、从所述气化部到所述成膜气体喷出部的所述第一成膜气体的流路的温度被设为比所述反应容器内的温度高的温度。

8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜气体喷出部从所述第一气体喷出口和所述第二气体喷出口分别喷出含有第一单体的所述第一成膜气体和含有第二单体的第二成膜气体，

所述第一单体和所述第二单体是用于在所述基板的表面聚合来形成高分子膜的成膜原料。