[发明专利]成膜装置、成膜方法以及存储介质

说明书

本发明涉及成膜装置、成膜方法以及存储介质。能够在纵型的反应容器内对被棚架状地保持的多个基板进行成膜处理时分别控制基板的中心部的膜厚和周缘部的膜厚。具备：成膜气体喷出部，设置在反应容器内的基板的保持区域的后方，用于喷出所述成膜气体；排气口，设置在基板的保持区域的前方，用于排出成膜气体；旋转机构，用于使基板保持器具绕纵轴进行旋转；以及加热部，将反应容器内加热至比从成膜气体喷出部喷出的成膜气体的温度低的温度。在成膜气体喷出部中，第一喷出口和第二喷出口各自朝向不同的方向开口，使得从第一喷出口喷出的成膜气体与反应容器内的气体降温用构件碰撞而降温，从第二喷出口喷出的成膜气体不与气体降温用构件碰撞。

技术领域

本发明涉及一种对被棚架状地保持在纵型的反应容器内的多个基板进行成膜处理的技术。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，在真空气氛中对作为基板的半导体晶圆(以下，记载为晶圆)进行成膜处理。作为进行该处理的成膜装置，存在以如下方式构成的情况：具备纵型的反应容器，从配置在晶圆的一端侧的气体喷射器朝向旋转的晶圆供给成膜气体，并且从配置在晶圆的另一端侧的排气口进行排气，其中，棚架状地保持有多个晶圆的基板保持器具被搬入纵型的反应容器并对反应容器的内部进行加热。在专利文献1中记载了这种结构的成膜装置。关于上述的气体喷射器，在专利文献2中示出了构成为沿互不相同的两个方向朝向晶圆喷出气体的情况。

专利文献1：日本专利第5966618号公报

专利文献2：日本特开平6-77474号公报

发明内容

发明要解决的问题

正在研究一种利用上述成膜装置通过沉积聚合法(VDP：Vapor Depositi onPolymalyzation：气相沉积聚合)在晶圆上形成高分子膜的技术。该VDP是以下方法：使作为成膜原料的多个种类的单体气化并供给到真空气氛中的基板，使各单体在该基板的表面发生聚合反应来进行成膜。在进行该VDP时，在从使单体气化的气化部到上述气体喷射器的气体流路中设为能够防止单体的凝缩和凝固的温度，另外，如后面在发明的实施方式的项目中要详细地叙述那样，正在研究一种使反应容器内的温度即晶圆的温度比上述的气体流路的温度低以提高单体的吸附效率来获得高成膜效率的技术。但是，本发明人确认了以下情况：如果像这样设定各部的温度，则如后面详细叙述那样，由于向晶圆的面内各部供给的气体的温度差而导致在该晶圆的中心部与周缘部之间产生膜厚差。

本发明是在这种情况下而完成的，其目的在于提供如下一种技术：在对被棚架状地保持在纵型的反应容器内的多个基板进行成膜处理时，能够分别控制基板的中心部的膜厚和周缘部的膜厚。

用于解决问题的方案

本发明的成膜装置在形成真空气氛的纵型的反应容器内对被棚架状地保持在基板保持器具上的多个基板供给成膜气体来进行成膜，该成膜装置的特征在于，具备：

成膜气体喷出部，其设置在所述反应容器内的所述基板的保持区域的后方，用于喷出所述成膜气体；

排气口，其设置在所述基板的保持区域的前方，用于排出所述成膜气体；

旋转机构，其用于使所述基板保持器具绕纵轴进行旋转；

加热部，其将所述反应容器内加热至比从所述成膜气体喷出部喷出的所述成膜气体的温度低的温度；

第一气体喷出口，其在所述成膜气体喷出部中朝向所述反应容器内的气体降温用构件横向地开口，以使被喷出的所述成膜气体在被供给到所述基板之前与所述气体降温用构件碰撞而降温；以及

第二气体喷出口，其在所述成膜气体喷出部中以与所述第一气体喷出口不同的方向朝向前方开口，以使被喷出的所述成膜气体在被供给到所述基板之前不与所述气体降温用构件碰撞。