[发明专利]纵式热处理装置和纵式热处理装置的运转方法有效
申请号: | 201810207976.4 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN108573902B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 大冈雄一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 运转 方法 | ||
1.一种纵式热处理装置,将多个基板以棚架状保持于基板保持器具来搬入纵式的反应容器内进行热处理,所述纵式热处理装置的特征在于,具备:
基板搬送机构,其与所述基板保持器具进行基板的交接;
翘曲检测部,其用于检测被从所述反应容器搬出的基板保持器具保持的热处理后的基板的翘曲;以及
控制部,其输出控制信号,该控制信号用于利用所述基板搬送机构将根据所述翘曲检测部的检测结果被判定为没有翘曲的基板从所述基板保持器具取出,
所述控制部输出控制信号,使得在根据所述翘曲检测部对一个基板的检测结果判定为该一个基板没有翘曲时,对与该一个基板的温度相比为相同程度的温度或者低温度的其它基板,不进行翘曲检测部的翘曲的检测而从基板保持器具取出所述其它基板,
所述控制部输出控制信号,使得在根据所述翘曲检测部对所述基板保持器具的最上段的基板的检测结果为该基板没有翘曲的情况下,不对其它区域的基板进行翘曲检测部的翘曲的检测而从基板保持器具取出所述其它区域的基板。
2.根据权利要求1所述的纵式热处理装置,其特征在于,
所述控制部输出控制信号使得通过所述翘曲检测部来检测全部的基板的翘曲。
3.根据权利要求1或2所述的纵式热处理装置,其特征在于,
所述翘曲检测部为包含发光部和受光部的结构、包含超声波传感器的结构以及包含电磁波传感器的结构中的任一结构。
4.根据权利要求1或2所述的纵式热处理装置,其特征在于,
所述翘曲检测部被设置为升降自如。
5.根据权利要求1或2所述的纵式热处理装置,其特征在于,
所述翘曲检测部的一部分或者全部设置于升降自如的可动体。
6.根据权利要求5所述的纵式热处理装置,其特征在于,
所述可动体为基板搬送机构。
7.根据权利要求1或2所述的纵式热处理装置,其特征在于,
所述控制部输出控制信号使得在预先设定的定时进行翘曲的检测。
8.根据权利要求1或2所述的纵式热处理装置,其特征在于,
设置冷却气体喷吹机构,该冷却气体喷吹机构构成为向被基板保持器具保持的基板喷吹冷却气体,并且能够沿着基板保持器具被进行多段分割并按每段独立地调整冷却气体的流量,
所述控制部输出控制信号,使得向与被判定为存在翘曲的基板对应的区域喷吹的冷却气体的流量多于向与被判定为没有翘曲的基板对应的区域喷吹的冷却气体的流量。
9.根据权利要求1或2所述的纵式热处理装置,其特征在于,
设置冷却气体喷吹机构,该冷却气体喷吹机构构成为向被基板保持器具保持的基板喷吹冷却气体并且能够相对于基板保持器具相对地升降,
所述控制部输出控制信号,使得向与被判定为存在翘曲的基板对应的区域喷吹的冷却气体的流量多于向与被判定为没有翘曲的基板对应的区域喷吹的冷却气体的流量。
10.一种纵式热处理装置的运转方法,所述纵式热处理装置将多个基板以棚架状保持于基板保持器具来搬入纵式的反应容器内进行热处理,所述纵式热处理装置的运转方法的特征在于,包括以下工序:
利用基板搬送机构将基板交接给所述基板保持器具;
利用翘曲检测部检测被从所述反应容器搬出的基板保持器具保持的基板的翘曲;以及
利用所述基板搬送机构将根据所述翘曲检测部的检测结果判定为没有翘曲的基板从所述基板保持器具取出,
其中,在根据所述翘曲检测部对一个基板的检测结果判定为该一个基板没有翘曲时,对与该一个基板的温度相比为相同程度的温度或者低温度的其它基板,不进行翘曲检测部的翘曲的检测而从基板保持器具取出所述其它基板,以及
在根据所述翘曲检测部对所述基板保持器具的最上段的基板的检测结果为该基板没有翘曲的情况下,不对其它区域的基板进行翘曲检测部的翘曲的检测而从基板保持器具取出所述其它区域的基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造