[发明专利]纵式热处理装置和纵式热处理装置的运转方法有效
申请号: | 201810207976.4 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN108573902B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 大冈雄一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 运转 方法 | ||
提供一种纵式热处理装置和纵式热处理装置的运转方法。在利用基板搬送机构将被从反应容器搬出的基板保持器具保持的热处理后的基板取出时,实现生产率的提高。在将多个晶圆以棚架状保持于作为基板保持器具的晶圆舟来搬入反应容器内进行热处理的纵式热处理装置中,在热处理后从冷却气体喷吹机构向被从所述反应容器搬出的晶圆舟喷吹冷却气体,并且利用翘曲检测部对被晶圆舟保持的晶圆检测翘曲。然后,利用晶圆搬送机构将被判定为没有翘曲的晶圆从晶圆舟取出。因此,能够对由于热处理而产生翘曲且翘曲随着温度的下降而收敛的晶圆检测其翘曲的收敛,因此能够在翘曲收敛的定时开始晶圆搬送机构的取出,能够实现生产率的提高。
技术领域
本发明涉及一种将多个基板以棚架状保持在基板保持器具来搬入纵式的反应容器内进行热处理的纵式热处理装置。
背景技术
作为半导体制造装置之一,有对多个半导体晶圆(以下称为“晶圆”)批量地进行热处理的纵式热处理装置。在该热处理装置中,使将晶圆保持为棚架状的晶圆舟上升来装载到热处理炉,对多张晶圆W同时进行规定的热处理。之后,使晶圆舟下降来从热处理炉卸载,利用移载装置将热处理后的晶圆从晶圆舟取出,回收到搬送容器内。
由于热影响,热处理结束后的晶圆W大幅度翘曲变形,但是随着晶圆温度下降,翘曲收敛。因此,例如在向被卸载的晶圆舟供给气体使晶圆冷却来使晶圆的翘曲收敛之后,开始进行移载装置的搬送(卸下)。关于晶圆舟卸载之后到开始搬送为止的待机时间,预先掌握翘曲收敛的收敛时间,并估计安全率来设定比收敛时间长的时间。
为了提高生产率,要求缩短到开始搬送为止的待机时间,但是如已述那样待机时间设定得长,实际上与晶圆没有翘曲无关地等待搬送开始。因而,当前在晶圆的翘曲收敛后无法在最短时间内开始搬送。另外,晶圆的热变形的图案也根据晶圆的种类、形成的膜的类别、工艺条件而不同,因此存在为了使翘曲可靠地收敛而将待机时间设定得长的倾向。
在专利文献1中记载了如下方法:检测由于晶圆的翘曲而产生的微小声音并将该微小声音变换为电信号,将该电信号放大并显示振幅的时间变化,由此监视翘曲的状态。然而,在该方法中,难以准确地分别掌握多张晶圆的翘曲状态,无法解决本发明的问题。
专利文献1:日本特开平10-2509236号公报
发明内容
本发明是基于这种情形而完成的,其目的在于提供如下的技术:在利用基板搬送机构取出被从反应容器搬出的基板保持器具保持的热处理后的基板时,能够削减可取出的基板的待机时间来实现生产率的提高。
因此,本发明的纵式热处理装置将多个基板以棚架状保持于基板保持器具来搬入纵式的反应容器内进行热处理,所述纵式热处理装置的特征在于,具备:基板搬送机构,其与所述基板保持器具进行基板的交接;翘曲检测部,其用于检测被从所述反应容器搬出的基板保持器具保持的热处理后的基板的翘曲;以及控制部,其输出控制信号,该控制信号用于利用所述基板搬送机构将根据所述翘曲检测部的检测结果判定为没有翘曲的基板从所述基板保持器具取出。
另外,在本发明的纵式热处理装置的运转方法中,该纵式热处理装置将多个基板以棚架状保持于基板保持器具来搬入纵式的反应容器内进行热处理,所述纵式热处理装置的运转方法的特征在于,包括以下工序:利用基板搬送机构将基板交接给所述基板保持器具;检测被从所述反应容器搬出的基板保持器具保持的基板的翘曲;以及利用所述基板搬送机构将根据所述翘曲检测部的检测结果被判定为没有翘曲的基板从所述基板保持器具取出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造