[发明专利]具有导电线的半导体结构以及停止层的制作方法

权利要求书

1.一种具有导电线的半导体结构，其特征在于，包含：

基底，划分为存储器区和周边电路区；

第一导电线，设置于该周边电路区；

氮化硅层，覆盖该第一导电线；

氮碳化硅层，覆盖并接触该氮化硅层；以及

第二导电线，设置于该周边电路区，该第二导电线与该第一导电线平行，二第一间隙壁分别位于该第一导电线的两侧，二第二间隙壁分别位于该第二导电线的两侧，其中该二第一间隙壁的其中之一和该二第二间隙壁的其中之一彼此相邻并且之间的间距为130至170纳米(nm)。

2.如权利要求1所述的具有导电线的半导体结构，其中该氮碳化硅层和该氮化硅层的厚度比值为1.6至4.2。

3.如权利要求1所述的具有导电线的半导体结构，其中该存储器区内包含有至少一存储单元，该存储单元至少包含有第一晶体管以及电容结构，该周边电路区包含有至少一第二晶体管。

4.如权利要求3所述的具有导电线的半导体结构，其中该第一导电线电连接该第二晶体管。

5.如权利要求3所述的具有导电线的半导体结构，另包含第三导电线，设置于该存储器区，该第三导电线电连接该第一晶体管与该电容结构。

6.如权利要求5所述的具有导电线的半导体结构，该第一导电线的顶面与该第三导电线的顶面是共平面。

7.如权利要求1所述的具有导电线的半导体结构，该周边电路区包含有至少一接触结构，该第一导电线电连接该接触结构。

8.如权利要求1所述的具有导电线的半导体结构，其中该氮化硅层和该氮碳化硅层共同填满该间距。

9.一种停止层的制作方法，其特征在于，包含：

提供一基底，该基底划分为一存储器区和一周边电路区，第一导电线和第二导电线设置在该周边电路区，其中二第一间隙壁分别位于该第一导电线的两侧，二第二间隙壁分别位于该第二导电线的两侧，其中该二第一间隙壁的其中之一和该二第二间隙壁的其中之一彼此相邻并且之间的间距为130至170纳米(nm)；

进行一原子层沉积制作工艺以形成一氮化硅层覆盖该第一导电线和该第二导电线；以及

在形成该氮化硅层后，形成一氮碳化硅层覆盖该氮化硅层以作为一停止层。

10.如权利要求9所述的停止层的制作方法，其中该氮碳化硅层的形成方式为利用含碳等离子体处理，将部分的该氮化硅层转化而成该氮碳化硅层。

11.如权利要求9所述的停止层的制作方法，其中该氮碳化硅层的形成方式为利用沉积制作工艺形成。

12.如权利要求9所述的停止层的制作方法，其中该氮化硅层和该氮碳化硅层共同填满该间距。

13.如权利要求9所述的停止层的制作方法，其中该氮碳化硅层和该氮化硅层的厚度比值为1.6至4.2。

14.如权利要求9所述的停止层的制作方法，另包含：

在形成该氮化硅层后，形成一介电层覆盖该存储器区、该周边电路区和该氮碳化硅层；

形成一电容下电极于该介电层中；

在形成该电容下电极之后，以该停止层作为蚀刻停止层完全移除该介电层；以及

在形成该移除该介电层之后，形成一电容介电层和一电容上电极以完成一电容结构。

15.如权利要求14所述的停止层的制作方法，其中该存储器区内另包含有至少一存储单元，各该存储单元至少包含有一第一晶体管以及该电容结构，该周边电路区包含有至少一第二晶体管。

16.如权利要求9所述的停止层的制作方法，其中在形成该氮碳化硅层时，该操作温度小于550℃。