[发明专利]具有导电线的半导体结构以及停止层的制作方法有效

申请号：	201810208251.7	申请日：	2018-03-14
公开（公告）号：	CN110277389B	公开（公告）日：	2021-10-08
发明（设计）人：	刘志建;吴姿锦;陈柏均;张家隆	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号：	H01L27/108	分类号：	H01L27/108;H01L21/8242
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	具有导电半导体结构以及停止制作方法
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【说明书】：

本发明公开一种具有导电线的半导体结构以及停止层的制作方法，该停止层的制作方法包含提供一基底，基底划分为一存储器区和一周边电路区，二导电线设置在周边电路区，接着进行一原子层沉积制作工艺以形成一氮化硅层覆盖导电线，之后在形成氮化硅层后，形成一氮碳化硅层覆盖氮化硅层以作为一停止层。

技术领域

本发明涉及一种停止层的制作方法，特别是涉及利用氮碳化硅作为蚀刻停止层的制作方法。

背景技术

动态随机存取存储器是一种主要的挥发性存储器，且是很多电子产品中不可或缺的关键元件。动态随机存取存储器由数目庞大的存储单元聚集形成一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元则由一半导体晶体管与一电容串联组成。

电容位于存储器区内，而存储器区的旁边存在有周边电路区，周边电路区内包含有其他晶体管元件以及接触结构等。在制作存储器区的电容时，需先在存储器区和周边电路区上形成一介电层，之后在介电层里形成孔洞，再形成电容下电极于孔洞的侧壁和底部，之后介电层需移除，但在移除介电层时，由于周边电路区内的蚀刻停止层的覆盖率不佳，造成周边电路区内的元件在移除介电层时受到损坏。

发明内容

有鉴于此，如何解决上述停止层覆盖率不佳的问题，为本发明所欲解决的目标之一。

根据本发明的一优选实施例，一种具有导电线的半导体结构包含一基底划分为一存储器区和一周边电路区，一第一导电线设置于周边电路区，一氮化硅层覆盖第一导电线以及一氮碳化硅层覆盖并接触该氮化硅层。

根据本发明的另一优选实施例，一种停止层的制作方法，包含提供一基底，基底划分为一存储器区和一周边电路区，二导电线设置在周边电路区，接着进行一原子层沉积制作工艺以形成一氮化硅层覆盖导电线，之后在形成氮化硅层后，形成一氮碳化硅层覆盖氮化硅层以形成一停止层。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1至图9绘示的是具有导电线的半导体结构的制作方法的示意图。

主要元件符号说明

10 基底 12 第一晶体管

14 第一栅极 16 源极/漏极掺杂区

18 第二晶体管 20 第二栅极

22 源极/漏极掺杂区 24 介电层