[发明专利]一种高功率PIN射频开关驱动电路在审
| 申请号： | 201810208460.1 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108540117A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 颜朝;王伟光;魏晓水 | 申请（专利权）人： | 湖北楚航电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/693 | 分类号： | H03K17/693;H03K19/20 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 432000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低侧 射频开关 驱动电路 高功率 与门 控制电平 非门 信号输入端 输出端 输入端 输入信号生成 电平转换 控制电压 通道切换 集成度 与非门 外部 取反 延时 电路 | ||
1.一种高功率PIN射频开关驱动电路，其特征在于，包括一个与门，一个非门和一个低侧MOSFET驱动器；
所述与门的信号输入端与非门的信号输入端均用于接入TTL控制电平，与门的输出端与低侧MOSFET驱动器的一个输入端相连，非门的输出端与低侧MOSFET驱动器的另一个输入端相连。
2.如权利要求1所述的高功率PIN射频开关驱动电路，其特征在于，
所述与门的信号输入端A和输入端B用于接入TTL控制电平，GND端接地，VCC端接入+5V电源；输出端Y与低侧MOSFET驱动器的一个输入端INA相连；
所述非门的信号输入端A用于接入TTL控制电平，NC与GND端均接地，VCC端接入+5V电源；非门的输出端与低侧MOSFET驱动器的另一个输入端INB相连。
3.如权利要求1或2所述的高功率PIN射频开关驱动电路，其特征在于，所述低侧MOSFET驱动器包含一个反相输出端和一个同相输出端OUTB，反相输出端输出高功率PIN射频开关通道切换所需的第一控制电压V1，同相输出端OUTB输出高功率PIN射频开关通道切换所需的第二控制电压V2，所述低侧MOSFET驱动器的VCC接入+28V电压。
4.如权利要求1或2所述的高功率PIN射频开关驱动电路，其特征在于，所述与门优选逻辑门电路SN74AHCT1G08。
5.如权利要求4所述的高功率PIN射频开关驱动电路，其特征在于，非门优选逻辑门电路SN74AHC1G04。
6.如权利要求4或5所述的高功率PIN射频开关驱动电路，其特征在于，低侧MOSFET驱动器U3优选采用IXDF604。
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