[发明专利]一种高功率PIN射频开关驱动电路

说明书

本发明属射频开关驱动电路技术领域，公开了一种高功率PIN射频开关驱动电路，包括一个与门，一个非门和一个低侧MOSFET驱动器；与门的信号输入端与非门的信号输入端均用于接入TTL控制电平，与门的输出端与低侧MOSFET驱动器的一个输入端相连，非门的输出端与低侧MOSFET驱动器的另一个输入端相连；与门用于将外部TTL控制电平延时后提供给低侧MOSFET驱动器，非门用于将外部TTL控制电平取反后提供给低侧MOSFET驱动器，低侧MOSFET驱动器U3用于根据输入信号生成高功率PIN射频开关通道切换时所需的控制电压；本发明公开的这种高功率PIN射频开关驱动电路具有集成度高、电路简单、电平转换速度快、易于实现、性能稳定可靠、成本低廉的优点。

技术领域

本发明属于射频开关驱动技术领域，具体涉及一种高功率PIN射频开关驱动电路。

背景技术

射频开关具有通道切换功能，特别适合用于多天线、多通道射频通讯系统。近年来，随着雷达和通讯系统的飞速发展，射频开关得到了广泛应用。在现有工程设计中，高功率PIN射频开关一般采用电阻、NPN三级管和PMOS场效应管组合的方式进行驱动电路设计。由于分立元器件寄生电容和电感的影响，这种传统的驱动电路无法实现PIN射频开关通道间的快速切换。另外，传统的采用分立电子元器件搭建的驱动电路集成度低，在驱动多通道射频开关矩阵时，需要大量的分立元器件，不仅需要占用更大的印制板空间，还会造成电路的可靠性低下。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种高功率PIN射频开关驱动电路，其目的在于解决现有的高功率PIN射频开关驱动电路可靠性差、电平转换速度慢的技术问题。

为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种高功率PIN射频开关驱动电路，包括一个与门，一个非门和一个低侧MOSFET驱动器；

其中，与门的信号输入端与非门的信号输入端均用于接入TTL控制电平，与门的输出端与低侧MOSFET驱动器的一个输入端相连，非门的输出端与低侧MOSFET驱动器的另一个输入端相连。

优选的，上述高功率PIN射频开关驱动电路，包括一个与门U1，一个非门U2，一个低侧MOSFET驱动器U3；

其中，与门U1的信号输入端A、B用于接入TTL控制电平，GND端接地，VCC端接入+5V电源；输出端Y与低侧MOSFET驱动器U3的一个输入端INA相连；

其中，非门U2的信号输入端A用于接入TTL控制电平，NC与GND端均接地，VCC端接入+5V电源；非门U2的输出端与低侧MOSFET驱动器U3的另一个输入端INB相连。

优选的，上述高功率PIN射频开关驱动电路，低侧MOSFET驱动器U3包含一个反相输出端和一个同相输出端OUTB，反相输出端输出高功率PIN射频开关通道切换所需的第一控制电压V1，同相输出端OUTB输出高功率PIN射频开关通道切换所需的第二控制电压V2，所述低侧MOSFET驱动器U3的VCC接入+28V电压；

其中，与门U1用于将外部TTL控制电平延时后提供给低侧MOSFET驱动器U3的INA输入管脚，非门U2用于将外部TTL控制电平取反后提供给低侧MOSFET驱动器U3的INB输入管脚，低侧MOSFET驱动器U3包含一个反相输出端和一个同相输出端OUTB，用于输出高功率PIN射频开关通道切换时所需的第一控制电压V1、第二控制电压V2。

优选的，上述高功率PIN射频开关驱动电路，其与门优选TI半导体公司的逻辑门电路SN74AHCT1G08。

优选的，上述高功率PIN射频开关驱动电路，其非门优选TI半导体公司的逻辑门电路SN74AHC1G04。

优选的，上述高功率PIN射频开关驱动电路，其低侧MOSFET驱动器U3优选IXYS公司的IXDF604。