[发明专利]磁传感器电路、磁传感器电路的检查方法和具有磁传感器电路的半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及磁传感器电路、磁传感器电路的检查方法和具有磁传感器电路的半导体装置的制造方法。磁传感器电路具备：输出与垂直磁场对应的电压的第一磁传感器元件或输出与水平磁场对应的电压的第二磁传感器元件；磁场信号处理电路，根据所述电压来输出信号；第一端子、第二端子和第三端子这至少3个端子，能够与外部的元件连接；第一布线，将所述第一端子与所述第二端子之间连接；以及第二布线，将所述第一端子与所述第三端子之间连接，所述第一磁传感器元件被配置在能够检测从所述第一布线或所述第二布线产生的磁场的位置或所述第二磁传感器元件被配置在能够检测从所述第一布线或所述第二布线产生的磁场的位置。

技术领域

本发明涉及磁传感器电路、磁传感器电路的检查方法和具有磁传感器电路的半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，将检测各种旋转机构的转速或旋转方向作为目的，已知有对交变垂直磁场和交变水平磁场进行检测的2轴磁电路。与以往的仅检测垂直磁场的磁传感器相比，有磁机构设计的自由度高的优点。另一方面，在量产测试工序中，要求施加垂直磁场和水平磁场来进行检查。

将量产性提高作为目的，为了在封装安装前进行传感器的好坏的选别，期望晶片测试中的磁场施加检查的实施。可是，在磁场施加检查中，要求使用对晶片施加水平磁场的水平磁场施加机构和对晶片施加垂直磁场的垂直磁场施加机构这2个，并且，要求高精度地调整施加磁场的位置。

在此，已知有通过在电路中设置专用的构造来从外部供给测试电流而使水平磁场产生来进行水平磁场传感器元件的磁场施加检查的技术（例如参照非专利文献1的图8和其说明）。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：“A Dual Vertical Hall Latch with Direction Detection”,Proceedings of the ESSCIRC 2013。

发明要解决的课题

可是，在现有的技术中，存在由于使用水平磁场传感器元件的磁场施加检查专用的构造而增加电路的占有面积的情况。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，提供一种能够削减电路的占有面积并进行传感器元件的磁场施加检查的磁传感器电路。

用于解决课题的方案

本发明的一个方式是，一种磁传感器电路，其中，具备：输出与垂直磁场对应的电压的第一磁传感器元件或输出与水平磁场对应的电压的第二磁传感器元件；磁场信号处理电路，根据所述电压来输出信号；第一端子、第二端子和第三端子这至少3个端子，能够与外部的元件连接；第一布线，将所述第一端子与所述第二端子之间连接；以及第二布线，将所述第一端子与所述第三端子之间连接，所述第一磁传感器元件或所述第二磁传感器元件的任一个被配置在能够检测从所述第一布线或所述第二布线产生的磁场的位置。

本发明的一个方式是，一种检查方法，在上述所记载的磁传感器电路中，通过在所述第一布线或所述第二布线中流动比在所述磁传感器电路进行通常工作时在该磁传感器电路内流动的电流大的电流，从而进行所述第一磁传感器元件或所述第二磁传感器元件的磁场施加检查。

本发明的一个方式是，一种半导体装置的制造方法，其中，包含上述所记载的检查方法。

本发明的一个方式是，一种磁传感器电路，其中，具备：磁传感器元件，输出与磁场对应的电压；磁场信号处理电路，根据所述电压来输出信号；第一端子和第二端子这至少2个端子，能够与外部的元件连接；以及布线，将所述第一端子与所述第二端子之间连接，能够流动比在通常时流动的电流大的电流，在能够检测从所述布线产生的磁场的位置配置所述磁传感器元件。

发明效果