[发明专利]加热平台、热处理和制造方法

权利要求书

1.一种用于加热晶片的加热平台，其特征在于，所述加热平台包括：

支撑载板，所述晶片被所述支撑载板支撑，其中所述晶片包括多个管芯区以及环绕所述多个管芯区的周边区；

检测模块，被配置以监测被所述支撑载板支撑的所述晶片的表面状态；以及

第一加热模块，设置于所述支撑载板的一侧，所述第一加热模块包括与所述检测模块电连接的多个加热单元，且所述多个加热单元排列成阵列，其中所述多个加热单元的排列与所述晶片的所述多个管芯区的排列相同，且所述多个加热单元被配置成彼此之间是独立操作的；

控制器，与所述第一加热模块的检测模块电连接，其中所述控制器控制所述第一加热模块以根据所述检测模块所检测的所述表面状态进行操作；

冷却模块，设置于所述支撑载板上，且包括与所述检测模块电连接的多个冷却单元，所述多个冷却单元排列成阵列；以及

在所述第一加热模块的操作期间，所述冷却模块被配置以降低所述晶片的至少一部分的温度。

2.根据权利要求1所述的加热平台，其特征在于，其中所述第一加热模块设置于所述支撑载板上，且所述第一加热模块位于所述晶片与所述支撑载板之间。

3.根据权利要求1所述的加热平台，其特征在于，其中所述第一加热模块设置于所述支撑载板的上方，且所述晶片位于所述第一加热模块与所述支撑载板之间。

4.根据权利要求1所述的加热平台，其特征在于，还包括：

第二加热模块，设置在所述支撑载板上，其中所述第一加热模块设置于所述第二加热模块上方，且所述晶片位于所述第一加热模块与所述第二加热模块之间。

5.根据权利要求1所述的加热平台，其特征在于，其中所述多个加热单元的所述阵列包括多行所述多个加热单元，且排列在所述多行中相邻两行的所述多个加热单元对齐。

6.根据权利要求1所述的加热平台，其特征在于，其中所述多个加热单元的所述阵列包括多行所述多个加热单元，且排列在所述多行中相邻两行的所述多个加热单元彼此交错。

7.根据权利要求1所述的加热平台，其特征在于，其中所述多个加热单元的所述阵列包括多组所述多个加热单元，且所述多组的所述多个加热单元分别沿多个同心圆路径排列。

8.根据权利要求1所述的加热平台，其特征在于，其中每一所述加热单元包括紫外光源、微波源、红外光源或近红外光源。

9.根据权利要求1所述的加热平台，其特征在于，其中每一所述加热单元包括含有加热流体的流体管道。

10.根据权利要求9所述的加热平台，其特征在于，其中每一所述多个冷却单元包括含有冷却流体的流体管道。

11.一种热处理方法，其特征在于，包括：

提供晶片于加热平台上，其中所述晶片包括多个管芯区以及环绕所述多个管芯区的周边区；

通过所述加热平台的检测模块检测所述晶片的表面状态；

根据所述检测模块检测的信息，通过所述加热平台的加热模块进行晶片加热工艺，其中所述加热模块包括多个加热单元，且所述多个加热单元排列成阵列，其中所述多个加热单元的排列与所述晶片的所述多个管芯区的排列相同，且所述多个加热单元彼此之间是独立操作的；以及

在进行所述晶片加热工艺的期间，根据所述检测模块检测的信息，通过所述加热平台的冷却模块冷却所述晶片的至少一部分，其中所述冷却模块包括多个冷却单元，且所述多个冷却单元排列成阵列。

12.根据权利要求11所述的热处理方法，其特征在于，其中所述表面状态包括所述晶片的顶面的形貌，且所述多个加热单元根据所述晶片的所述顶面的所述形貌分别对所述晶片的所述顶面的多个区域加热。