[发明专利]加热平台、热处理和制造方法

说明书

提供一种加热平台，用于加热晶片。加热平台包括支撑载板、检测模块和第一加热模块。晶片被支撑载板支撑。检测模块被配置以监测被支撑载板支撑的晶片的表面状态。第一加热模块设置在支撑载板的一侧。第一加热模块包括多个与检测模块电连接的加热单元，且加热单元排列成阵列。还提供了一种热处理和制造方法。

技术领域

本公开涉及一种加热平台、一种热处理和一种制造方法。

背景技术

晶片的制造工艺可以包括化学气相沉积(chemical vapor deposition， CVD)工艺、蚀刻工艺和化学机械抛光(chemical-mechanical polishing，CMP) 工艺或类似工艺。在上述制造工艺中，温度对工艺结果有显著影响，温度控制和温度调整在晶片的制造工艺中相当重要。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供了一种加热晶片的加热平台。加热平台包括支撑载板、检测模块和第一加热模块。晶片被支撑载板支撑。检测模块被配置以监测被支撑载板支撑的晶片的表面状态。第一加热模块设置在支撑载板的一侧。第一加热模块包括与检测模块电连接的多个加热单元，且多个加热单元排列成阵列。

根据本公开的一些替代实施例，一种热处理包括以下步骤。提供晶片于加热平台上。通过加热平台的检测模块检测晶片的表面状态。根据检测模块检测的信息，通过加热平台的加热模块进行晶片加热工艺，其中加热模块包括多个加热单元，且多个加热单元排列成阵列。

根据本公开的一些实施例，一种制造方法包括以下步骤。对晶片进行第一工艺。在执行第一工艺后，获得晶片表面状态的信息。对晶片进行第二工艺，其中在第二工艺过程中，根据表面状态的信息通过加热模块对晶片进行晶片加热工艺，加热模块包括多个加热单元，且多个加热单元排列成阵列。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明会最好地理解本公开的各个方面。值得注意的是，按照行业的标准做法，各种特征并不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可以任意增加或减小。

图1是示出根据本公开的实施例的加热平台的示意图。

图2是示出根据本公开实施例的提供在图1的加热平台上的晶片的俯视图。

图3是示出根据本公开实施例的图1的加热平台的第二加热模块的俯视图。

图4A是示出根据本公开实施例的图1的加热平台的第一加热模块的仰视图。

图4B是示出根据本公开的另一实施例的加热平台的第一加热模块的仰视图。

图4C是示出根据本公开另一实施例的加热平台的第一加热模块的仰视图。

图5是示出根据本公开的另一个实施例的加热平台的示意图。

图6是示出根据本公开另一实施例的图5的加热平台的第一加热模块的俯视图。

图7是示出根据本公开另一实施例的加热平台的示意图。

图8是示出根据本公开另一实施例的图7的加热平台的第一加热模块的俯视图。

图9是示出根据本公开另一实施例的加热平台的示意图。

图10是示出根据本公开实施例的图9的加热平台的冷却模块的俯视图。

图11是示出根据本公开另一实施例的加热平台的示意图。

图12是示出根据本公开的另一个实施例的加热平台的示意图。

图13是示出根据本公开的实施例的制造方法的流程图。

具体实施方式