[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括存储区域和外围电路区域；

在所述外围电路区域上形成外围电路；

形成覆盖所述外围电路及存储区域的第一介质层；

刻蚀所述外围电路区域上方的第一介质层，形成暴露出外围电路接触区域的第一接触孔；

形成所述第一接触孔后，在所述第一介质层表面形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行显影曝光，形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层暴露出所述第一接触孔；以所述图形化光刻胶层为掩膜对所述第一接触孔底部的外围电路接触区域进行离子注入；去除所述图形化光刻胶层；

形成填充满所述第一接触孔的第一金属插塞；

在所述存储区域上形成存储结构；

形成覆盖所述存储结构及第一介质层的第二介质层；

在所述外围电路区域上方的第二介质层内形成延伸至所述第一金属插塞的第二金属插塞。

2.根据权利要求1所述的3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述第二金属插塞的形成方法包括：刻蚀所述外围电路区域上方的第二介质层至所述第一金属插塞表面，形成第二接触孔，所述第二接触孔与所述第一接触孔贯通，在所述第二接触孔内填充第二金属插塞，所述第二金属插塞与所述第一金属插塞电连接。

3.根据权利要求1所述的3D NAND存储器的形成方法，所述第一金属插塞和第二金属插塞的材料为W。

4.根据权利要求2所述的3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述第一接触孔的深度范围为200nm～700nm。

5.根据权利要求1所述的3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一金属插塞之后，在所述第一介质层和第一金属插塞表面形成第三介质层；所述第二介质层覆盖所述第三介质层。

6.一种3D NAND存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括存储区域和外围电路区域；

位于所述外围电路区域上的外围电路；

覆盖所述外围电路及外围电路区域的第一介质层；

位于所述外围电路区域上方的第一介质层内的延伸至外围电路接触区域的第一金属插塞；

位于所述存储区域上的存储结构；

覆盖所述存储结构及第一介质层的第二介质层；

位于所述外围电路区域上方的第二介质层内的延伸至与所述第一金属插塞结合的第二金属插塞，其中，所述第一金属插塞是通过填充满第一接触孔形成的，所述第一接触孔是通过刻蚀所述外围电路区域上方的第一介质层、并暴露出外围电路接触区域形成的，所述第一接触孔底部的外围电路接触区域内具有掺杂区，所述掺杂区是在所述第一介质层表面形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行显影曝光，形成暴露出所述第一接触孔的图形化光刻胶层之后，以所述图形化光刻胶层为掩膜对所述第一接触孔底部的外围电路接触区域进行离子注入形成的。

7.根据权利要求6所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述第一金属插塞的高度范围为200nm～700nm。

8.根据权利要求6所述的3D NAND存储器，其特征在于，还包括：位于所述第一介质层和第一金属插塞表面的第三介质层，所述第二介质层覆盖所述第三介质层。

9.根据权利要求8所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述第三介质层的厚度范围为50nm～150nm。