[发明专利]轧压接合体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810214618.6 申请日: 2018-03-15
公开(公告)号: CN108688256B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 桥本裕介;黑川哲平;神代贵史;贞木功太 申请(专利权)人: 东洋钢钣株式会社
主分类号: B32B15/01 分类号: B32B15/01;B32B37/10
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 接合 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种轧压接合体,是将第1金属层与第2金属层轧压接合后,经过至少具有如下任一步骤的通板步骤,即,自多个辊之间通过而反复卷绕至所期望的线圈直径或芯的反复卷绕步骤,或自多个辊之间通过而切断的切断步骤后的轧压接合体,且其特征在于:

所述第1金属层的表面的算术平均起伏(Wa1)为0.01μm~0.96μm,最大高度起伏(Wz1)为0.2μm~5.0μm,

所述算术平均起伏(Wa1)及最大高度起伏(Wz1)是根据截去周期未满 2.5mm及周期超过25mm的波长成分后 的起伏曲线所获得的。

2.一种轧压接合体,是将第1金属层与第2金属层轧压接合后,经过至少具有如下任一步骤的通板步骤,即,自多个辊之间通过而反复卷绕至所期望的线圈直径或芯的反复卷绕步骤,或自多个辊之间通过而切断的切断步骤后的轧压接合体,且其特征在于:

将所述第1金属层的表面镜面研磨直至算术平均粗糙度(Ra1)为1nm~30nm为止时的算术平均起伏(Wa1)为0.01μm~0.96μm,最大高度起伏(Wz1)为0.2μm~5.0μm,

所述算术平均起伏(Wa1)及最大高度起伏(Wz1)是根据截去周期未满 2.5mm及周期超过25mm的波长成分后 的起伏曲线所获得的。

3.根据权利要求1或2所述的轧压接合体,其中,所述第2金属层的表面的算术平均起伏(Wa2)为0.01μm~1.0μm,最大高度起伏(Wz2)为0.2μm~6.0μm。

4.根据权利要求1或2所述的轧压接合体,其中,所述第1金属层的表面的算术平均起伏(Wa1)小于所述第2金属层的表面的算术平均起伏(Wa2)。

5.根据权利要求1或2所述的轧压接合体,其中,所述第1金属层的表面的最大高度起伏(Wz1)小于所述第2金属层的表面的最大高度起伏(Wz2)。

6.根据权利要求1或2所述的轧压接合体,其中,在所述第1金属层与所述第2 金属层之间形成了中间金属层。

7.根据权利要求1或2所述的轧压接合体,其中,所述第1金属层用于电子设备用壳体的外表面侧,

所述第2金属层用于所述电子设备用壳体的内表面侧。

8.根据权利要求1或2所述的轧压接合体,其中,所述第1金属层及第2金属层分别由Fe、Ti、Ni、Al、Mg、Cu或以这些成分中的任一个为基础的合金组成。

9.根据权利要求1或2所述的轧压接合体,其中,所述第1金属层由SUS、或Ti、Ni或者以这些成分中的任一个为基础的合金组成。

10.根据权利要求6所述的轧压接合体,其中,所述中间金属层由Fe、Ti、Ni、Al、Mg、Cu或以这些成分中的任一个为基础的合金组成。

11.一种电子设备用壳体,由根据权利要求1或2所述的轧压接合体组成,且

将所述第1金属层设为外表面侧,

将所述第2金属层设为内表面侧。

12.根据权利要求11所述的电子设备用壳体,其中,外表面侧表面的算术平均粗糙度(Ra)为30nm以下。

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