[发明专利]制作半导体元件及显示器的阵列基板的方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

提供光罩，所述光罩具有第一图案；

通过所述光罩在基板上形成图案化材料层，其中所述图案化材料层包含第一突出缺陷以及对应所述第一图案的正常图案层；

通过所述光罩形成第一图案化光阻层覆盖所述正常图案层，所述第一突出缺陷暴露于所述第一图案化光阻层之外；以及

使用所述第一图案化光阻层为遮罩蚀刻所述图案化材料层的所述第一突出缺陷。

2.如权利要求1所述的制作半导体元件的方法，其特征在于，所述第一图案化光阻层覆盖所述正常图案层的侧表面。

3.如权利要求1所述的制作半导体元件的方法，其特征在于，所述图案化材料层的材料包含透明导电材料、半导体材料或金属。

4.如权利要求1所述的制作半导体元件的方法，其特征在于，所述第一图案化光阻层覆盖所述图案化材料层。

5.如权利要求1所述的制作半导体元件的方法，其特征在于，所述图案化材料层还包含第二突出缺陷。

6.如权利要求5所述的制作半导体元件的方法，其特征在于，在蚀刻所述图案化材料层的所述第一突出缺陷之后，还包含：

通过所述光罩在所述图案化材料层上形成第二图案化光阻层，所述第二图案化光阻层包含所述第一图案；以及

通过所述第二图案化光阻层蚀刻所述图案化材料层的所述第二突出缺陷。

7.如权利要求6所述的制作半导体元件的方法，其特征在于，所述第二图案化光阻层的材料与所述第一图案化光阻层的材料相同。

8.一种制造显示器的阵列基板的方法，其特征在于，包含：

在基板上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成图案化半导体通道层，其中形成所述图案化半导体通道层包含：

提供光罩，所述光罩具有第一图案；

通过所述光罩在所述栅极绝缘层上形成所述图案化半导体通道层，其中所述图案化半导体通道层包含突出缺陷以及对应所述第一图案的正常图案层；

通过所述光罩形成第一图案化光阻层覆盖所述正常图案层，所述突出缺陷暴露于所述第一图案化光阻层之外；以及

使用所述第一图案化光阻层为遮罩蚀刻所述图案化半导体通道层的所述突出缺陷；

在所述栅极绝缘层上形成透明电极层；以及

在所述图案化半导体通道层上形成第二金属层。

9.一种制造显示器的阵列基板的方法，其特征在于，包含：

在基板上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体通道层；

在所述栅极绝缘层上形成图案化透明电极层，其中形成所述图案化透明电极层包含：

提供光罩，所述光罩具有第一图案；

通过所述光罩在所述栅极绝缘层上形成所述图案化透明电极层，其中所述图案化透明电极层包含突出缺陷以及对应所述第一图案的正常图案层；

通过所述光罩形成第一图案化光阻层覆盖所述正常图案层，所述突出缺陷暴露于所述第一图案化光阻层之外；以及

使用所述第一图案化光阻层为遮罩蚀刻所述图案化透明电极层的所述突出缺陷；以及

在所述半导体通道层上形成第二金属层。

10.一种制造显示器的阵列基板的方法，其特征在于，包含：

在基板上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体通道层；

在所述栅极绝缘层上形成透明电极层；以及

在所述半导体通道层上形成图案化第二金属层，其中形成所述图案化第二金属层包含：

提供光罩，所述光罩具有第一图案；

通过所述光罩在所述半导体通道层上形成所述图案化第二金属层，其中所述图案化第二金属层包含突出缺陷以及对应所述第一图案的正常图案层；

通过所述光罩形成第一图案化光阻层覆盖所述正常图案层，所述突出缺陷暴露于所述第一图案化光阻层之外；以及

使用所述第一图案化光阻层为遮罩蚀刻所述图案化第二金属层的所述突出缺陷。