[发明专利]制作半导体元件及显示器的阵列基板的方法

说明书

本发明公开了一种制作半导体元件及显示器的阵列基板的方法，制作半导体元件的方法包含：提供具有第一图案的光罩；通过此光罩在基板上形成图案化材料层，其中图案化材料层包含第一突出缺陷以及对应第一图案的正常图案层；通过光罩形成第一图案化光阻层覆盖正常图案层，第一突出缺陷暴露于第一图案化光阻层之外；以及使用第一图案化光阻层为遮罩蚀刻图案化材料层的第一突出缺陷。本发明提供的半导体元件的制造方法可以在原有的设备及元件设计下，提升制作出的元件合格率。

技术领域

本发明是有关于制造薄膜晶体管的方法。特别是有关于一种制作半导体元件及显示器的阵列基板的方法。

背景技术

液晶显示器一般包含液晶显示面板与背光模块。液晶显示面板通常是由基板、薄膜晶体管阵列基板(thin film transistor array substrate,TFT array substrate)以及配置于两基板之间的液晶层所构成。

按照液晶的取向方式不同，目前主流的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配向(vertical alignment,VA)型、扭曲向列(twisted nematic,TN)或超扭曲向列(super twisted nematic,STN)型、平面转换(in-plane switching,IPS)型以及边缘场开关(fringe field switching,FFS)型。

目前，FFS型阵列基板是通过多次图案化工艺来完成。更详细说明，FFS型阵列基板是经由各层的沉积、微影、蚀刻及剥除工艺而形成。然而，随着科技日新月异，FFS型阵列基板的元件密度不断提升，对于工艺的容错率降低。因此，亟需一种改善现有工艺的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制作半导体元件及显示器的阵列基板的方法，其可以在原有的设备及元件设计下，提升制作出的元件合格率。

本发明的一方面，是提供制作半导体元件的方法，包含：提供光罩，此光罩具有第一图案；通过光罩在基板上形成图案化材料层，其中图案化材料层包含第一突出缺陷以及对应第一图案的正常图案层；通过光罩形成第一图案化光阻层覆盖正常图案层，第一突出缺陷暴露于第一图案化光阻层之外；以及使用第一图案化光阻层为遮罩，蚀刻图案化材料层的第一突出缺陷。

根据本发明一个或多个实施方式，第一图案化光阻层覆盖正常图案层的侧表面。

根据本发明一个或多个实施方式，图案化材料层的材料包含透明导电材料、半导体材料或金属。

根据本发明一个或多个实施方式，第一图案化光阻层覆盖图案化材料层。

根据本发明一个或多个实施方式，图案化材料层还包含第二突出缺陷。

根据本发明一个或多个实施方式，在蚀刻图案化材料层的第一突出缺陷之后，还包含：通过光罩在图案化材料层上形成第二图案化光阻层，第二图案化光阻层包含第一图案；以及通过第二图案化光阻层蚀刻图案化材料层的第二突出缺陷。

根据本发明一个或多个实施方式，第二图案化光阻层的材料与第一图案化光阻层的材料相同。

本发明的另一方面，是提供制造显示器的阵列基板的方法，包含：在基板上形成第一金属层；在第一金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成图案化半导体通道层，其中形成图案化半导体通道层包含：提供光罩，光罩具有第一图案；通过光罩在栅极绝缘层上形成图案化半导体通道层；在栅极绝缘层上形成透明电极层；以及在图案化半导体通道层上形成第二金属层，其中图案化半导体通道层包含突出缺陷以及对应第一图案的正常图案层；通过光罩形成第一图案化光阻层覆盖正常图案层，突出缺陷暴露于第一图案化光阻层之外；以及使用第一图案化光阻层为遮罩蚀刻图案化半导体通道层的突出缺陷。