[发明专利]具有不同阈值电压的位线钳位晶体管的感测电路

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

多个NAND串，包括NAND串的第一集合和NAND串的第二集合；

多个位线，连接到所述多个NAND串，所述多个NAND串的每个NAND串连接到所述多个位线的相应的位线；以及

多个感测电路，连接到所述多个位线，每个感测电路包括连接到所述多个位线的相应的位线并且被配置为设置所述相应的位线的电压的晶体管，所述多个感测电路的所述晶体管包括控制栅极，所述控制栅极连接到公共的电压源，所述多个感测电路的所述晶体管包括连接到所述NAND串的第一集合的所述相应的位线的晶体管的第一集合和连接到所述NAND串的第二集合的所述相应的位线的晶体管的第二集合，并且所述晶体管的第一集合比所述晶体管的第二集合具有更高的阈值电压。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中：

所述NAND串的第一集合的沟道比所述NAND串的第二集合的沟道更宽和/或具有更高的掺杂浓度。

3.如权利要求1或2所述的存储器装置，其中：

所述NAND串的第一集合包括分配给用户数据的存储器单元；并且

所述NAND串的第二集合包括分配给元数据的存储器单元。

4.如权利要求3所述的存储器装置，其中：

所述多个NAND串包括连接到字线的集合的存储器单元的集合；

所述存储器单元的分配给元数据的子集储存指示所述字线的集合的相应的字线是否已经完成编程的数据；

当已经对所述相应的字线完成编程时，所述存储器单元的分配给元数据的所述子集处于相对高的阈值电压状态中，并且当对所述相应的字线还未完成编程时，所述存储器单元的分配给元数据的子集处于相对低的阈值电压状态中。

5.如权利要求4所述的存储器装置，其中：

所述存储器单元的分配给元数据的所述子集的位置在所述字线的集合的不同字线中是不同的。

6.如权利要求4所述的存储器装置，还包括：

控制电路，其被配置为当温度低于阈值时，在所述字线的集合的不同字线中变化分配给元数据的所述存储器单元的所述子集的位置。

7.如权利要求1至6中任一个所述的存储器装置，其中：

与晶体管的所述第一集合相比，晶体管的所述第二集合包括更短的控制栅极长度、更小的氧化物厚度、更小的氧化物介电常数、或者更大的源极和/或漏极掺杂浓度中的至少一个。

8.如权利要求1至7中任一个所述的存储器装置，其中：

所述多个感测电路的每个晶体管配置为源极跟随器，以在感测操作期间在所述相应的NAND串上设置电压；并且

在所述NAND串的所述第二集合上设置的电压大于在所述NAND串的所述第一集合上设置的电压。

9.一种方法，包括：

将控制栅极电压施加到连接到字线的存储器单元的集合，所述存储器单元的集合包括在NAND串的第一集合中的存储器单元以及在NAND串的第二集合中的存储器单元，所述NAND串的第一集合经由位线的第一集合连接到位线钳位晶体管的第一集合，所述NAND串的第二集合经由位线的第二集合连接到位线钳位晶体管的第二集合，所述位线钳位晶体管的第一集合在感测电路的第一集合中，并且所述位线钳位晶体管的第二集合在感测电路的第二集合中；以及

在施加所述控制栅极电压期间，感测所述存储器单元的集合的每个存储器单元是处于导电状态还是不导电状态，所述感测包括使用所述位线钳位晶体管的第一集合将所述位线的第一集合的电压钳位在第一电平，并且使用所述位线钳位晶体管的第二集合将所述位线的第二集合的电压钳位在比所述第一电平更大的第二电平，其中所述位线钳位晶体管的第一集合具有比所述位线钳位晶体管的第二集合更高的阈值电压。

10.如权利要求9所述的方法，其中：

所述NAND串的第二集合中的存储器单元包括跟踪多通过编程操作中的编程通过的元数据，并且在当所述编程通过是所述多通过编程操作中的最终的编程通过时比当所述编程通过是所述多通过编程操作中的较早的编程通过时具有相对高的阈值电压。