[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：

基底，一元件区定义于该基底上；

多个下电极结构，位于该元件区内；

上支撑结构，接触该下电极结构的一顶部区域，该上支撑结构包含有多个第一开孔；以及

至少一中支撑结构，位于该基底与该上支撑结构之间，接触该下电极结构的一中部区域，该中支撑结构包含有多个第二开孔，其中各该第一开孔的位置与各该第二开孔的位置不重叠其中该基底的一顶面至该上支撑结构的垂直高度为H1，该基底的该顶面至该中支撑结构的垂直高度为H2，其中H2/H1介于0.4至0.6之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该上支撑结构的材质包含氮碳化硅(SiCN)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该中支撑结构的材质包含氮碳化硅(SiCN)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中各该第一开孔与X个下电极结构位置重叠，而各该第二开孔与Y个下电极结构位置重叠，其中X不等于Y。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含多个埋入式字符线结构，位于该元件区的该基底中。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中还包含有第一介电层，位于该基底中，且该下电极结构位于该第一介电层上。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中还包含有多个接触结构，位于该第一介电层中，且电连接该埋入式字符线结构与该下电极结构。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该下电极结构的材质包含氮化钛。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该至少一中支撑结构包含有两个以上的中支撑结构。