[发明专利]半导体结构有效

申请号：	201810223603.6	申请日：	2018-03-19
公开（公告）号：	CN110289258B	公开（公告）日：	2021-12-21
发明（设计）人：	张家隆;刘玮鑫;陈柏均;陈意维;蔡函原;吴姿锦;邹世芳	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号：	H01L27/108	分类号：	H01L27/108
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体结构
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【说明书】：

本发明公开一种半导体结构，其包含一基底，一元件区定义于该基底上，多个下电极结构，位于该元件区内，一上支撑结构，接触该下电极结构的一顶部区域，以及至少一中支撑结构，位于该基底与该上支撑结构之间，接触该下电极结构的一中部区域，其中从上视图来看，该上支撑结构与该中支撑结构不完全重叠。

技术领域

本发明涉及半导体结构，尤其是涉及一种包含多层支撑结构与电容下电极结构的半导体结构。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory，以下简称为DRAM)是一种主要的挥发性(volatile)存储器，且是很多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元则由一金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，MOS)晶体管与一电容(capacitor)串联组成。

一般而言，位于存储器区内的电容有较大的高度(通常大于1.5微米)，如此具有较好的存储电荷效能，但同时电容高度愈高，愈容易发生电容结构倒塌的状况，因此若解决上述问题，即可有效提高DRAM的良率与品质。

发明内容

本发明提供一种半导体结构，包含一基底，一元件区定义于该基底上，多个下电极结构，位于该元件区内，一上支撑结构，接触该下电极结构的一顶部区域，以及至少一中支撑结构，位于该基底与该上支撑结构之间，接触该下电极结构的一中部区域，其中从上视图来看，该上支撑结构与该中支撑结构不完全重叠。

本发明特点在于，制作一半导体结构，至少包含有多个电容下电极结构、一上支撑结构层以及一中支撑结构层，其中上支撑结构层与中支撑结构层分别支撑各电容下电极结构的上段部分与中段部分，以防止电容下电极结构倒塌。此外从上视图来看，上支撑结构层与中支撑结构层彼此不完全重叠，因此可以进一步增强支撑电容下电极结构的效果。另外在制作过程中，仅进行了一次湿蚀刻步骤(例如氢氟酸)，因此也可减少对电容下电极结构的破坏。

附图说明

图1至图9为本发明制作一半导体结构的示意图；

图10为本发明的半导体结构的上视图，特别是分别绘示沿着的图9中剖面线A-A’与B-B’所得的上视图；

图11为本发明另外一实施例的半导体结构的示意图。

主要元件符号说明

100 基底

102 元件区

104 周边区

106 第一晶体管

106a 埋藏式栅极

106b 源/漏极

108 浅沟隔离