[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效

专利信息
申请号: 201810227597.1 申请日: 2018-03-20
公开(公告)号: CN108666237B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 日野出大辉;藤井定 申请(专利权)人: 株式会社斯库林集团
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 向勇;崔炳哲
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 方法 装置
【说明书】:

在覆盖基板的整个上表面的低表面张力液体的液膜上形成孔,基板的上表面中央部露出。低表面张力液体的液膜的孔扩展到基板的外周。在低表面张力液体的液膜上形成孔前停止喷出温水。在从基板的上表面排出低表面张力液体的液膜后,再次向基板的下表面供给温水。在停止喷出温水后,甩掉在基板上附着的液体。

技术领域

本发明涉及处理基板的基板处理方法及基板处理装置。作为处理对象的基板中包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field EmissionDisplay:电子发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。

背景技术

在半导体装置、液晶显示装置等制造工序中,使用用于处理半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等基板的基板处理装置。

日本专利5139844号公报中公开了一种逐张处理基板的单张式基板处理装置。该基板处理装置具有:旋转卡盘,一边水平地保持基板一边使基板旋转;中心喷嘴,向基板的上表面中央部喷出IPA液(异丙醇液体);背面喷嘴,向基板的下表面中央部喷出温水。

日本专利5139844号公报中,使中心喷嘴向基板的上表面中央部喷出IPA液,并且使温水喷嘴向基板的下表面中央部喷出温水。在停止喷出IPA液前停止喷出温水。在停止喷出IPA液后,通过基板的高速旋转来从基板除去IPA液及温水。由此,基板被干燥。

日本专利5139844号公报中没有公开及启示在停止向基板的上表面供给IPA液后向基板的下表面供给温水。

发明内容

本发明的实施方式提供一种基板处理方法,包括:低表面张力液体供给工序,一边使被水平地保持并附着有冲洗液的基板绕通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转,一边向所述基板的上表面供给表面张力低于所述冲洗液的低表面张力液体,由此,形成覆盖所述基板的上表面的所述低表面张力液体的液膜,将所述基板上的冲洗液置换为所述低表面张力液体;;孔形成工序,在开始所述低表面张力液体供给工序后,一边使所述基板绕所述旋转轴线旋转,一边停止向所述基板的上表面中央部供给所述低表面张力液体,由此,在所述低表面张力液体的液膜的中央部形成孔,使所述基板的上表面中央部从所述低表面张力液体的液膜中露出;孔扩大工序,在所述孔形成工序之后,一边使所述基板绕所述旋转轴线旋转,一边使所述孔扩展到所述基板的外周;干干燥工序,在所述孔扩大工序之后,使所述基板绕所述旋转轴线旋转,由此,甩掉附着在所述基板上的液体,干燥所述基板;第一加热液体供给工序,与所述低表面张力液体供给工序的至少一部分并行地进行,向所述基板的下表面供给温度高于室温的加热液体,并在所述孔形成工序开始前停止供给所述加热液体;第二加热液体供给工序,在所述孔扩大工序结束后,一边使所述基板绕所述旋转轴线旋转,一边向所述基板的下表面供给所述加热液体,并在所述干燥工序开始前停止供给所述加热液体。

根据该结构,一边使被水平地保持的基板旋转,一边向基板的上表面供给低表面张力液体。由此,形成覆盖基板的上表面的低表面张力液体的液膜,基板上的冲洗液被置换为低表面张力液体。然后,在低表面张力液体的液膜的中央部形成孔,使基板的上表面中央部从低表面张力液体的液膜中露出。然后,进行使孔的外缘扩展到基板外周的孔扩大工序,从基板的上表面排出低表面张力液体的液膜。然后,使基板旋转来干燥基板。

与低表面张力液体供给工序的至少一部分并行地向基板的下表面供给温度高于室温的加热液体。基板及基板上的低表面张力液体被向基板的下表面供给的加热液体加热。由此,促进从冲洗液向低表面张力液体的置换。

在孔的外缘扩展到基板的外周后,再次供给加热液体(第二加热液体供给工序)。由此,由加热液体再次对基板进行加热。然后,附着在基板上的液体被甩掉,干燥基板。假设,即使在孔扩大工序结束后不可见程度的小的低表面张力液体的液滴残留在基板上,这样的低表面张力液体的液滴因由第二加热液体供给工序时的加热液体对基板进行的加热而迅速蒸发。因此,能够抑制由残留的液滴引起的基板上的图案倒塌。

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