[发明专利]粘接剂组合物、使用了粘接剂组合物的半导体装置的制造方法、以及固体摄像元件

说明书

本发明提供一种粘接剂组合物，其含有：(a)重均分子量为10万以上的丙烯酸聚合物；(b)具有至少2个(甲基)丙烯酰基的化合物；以及(c)聚合引发剂，其中，所述(a)重均分子量为10万以上的丙烯酸聚合物中的具有含氮原子基团的结构单元为所述(a)重均分子量为10万以上的丙烯酸聚合物整体的5质量％以下，并且所述(a)重均分子量为10万以上的丙烯酸聚合物包含具有官能团的结构单元。

本申请是申请日为2015年01月29日、发明名称为“粘接剂组合物、使用了粘接剂组合物的半导体装置的制造方法、以及固体摄像元件”的中国申请号为201580005738.X的分案申请。

技术领域

本发明涉及粘接剂组合物、使用了粘接剂组合物的半导体装置的制造方法、以及固体摄像元件。

背景技术

近年来，随着数码照相机以及带有相机的手机的普及，固体摄像器件的低耗电化及小型化也在发展，除了以往的CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合元件)图像传感器之外，开始使用CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补型金属氧化膜半导体)图像传感器。这些图像传感器由在一个半导体芯片上二维地排列有多个像素的传感器部(摄像像素部)和配置在传感器部的外侧的周边电路部形成。

作为CMOS图像传感器的结构，已知有“表面照射型”结构以及“背面照射型”结构(例如参见专利文献1、2)。在专利文献1的表面照射型CMOS图像传感器中，从外部入射的光透过玻璃基板以及空腔(空洞)入射到各微透镜，利用微透镜聚光后，透过滤色器层以及配线层入射到光电二极管。然后，该入射到光电二极管的光经光电转换而产生信号电荷，由该信号电荷生成电信号，由此获得图像数据。

另一方面，在专利文献2的背面照射型CMOS图像传感器中，在半导体基板的一个面上形成有光电二极管，在该面上配置有滤色器层以及微透镜。在微透镜的上方隔着粘接剂层以及空腔(空洞)配置有玻璃基板。另一方面，在半导体基板的另一个面上设有配线层。根据该背面照射型结构，入射到微透镜的光不透过配线层地在受光部被接受，因此由配线层导致的光衰减得以避免，受光感度提高。

另外，作为背面照射型CMOS图像传感器，公开了下述结构：在具备微透镜的硅基板上，隔着按照不覆盖微透镜的方式设在外周侧的部分上的粘接剂层以及填充在由该粘接剂层包围成的空腔(空洞)内的低折射率层而形成有玻璃基板(参见专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-281375号公报

专利文献2：日本特开2005-142221号公报

专利文献3：日本特开2010-40621号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，在例如专利文献2记载那样的具有空腔(空洞)的背面照射型CMOS图像传感器中，由于通常玻璃基板的折射率为nD＝1.47左右、空腔部分的空气的折射率为nD＝1.00左右、微透镜为nD＝1.60左右，各层的折射率之差较大，因此存在入射的光在界面处发生反射、从而产生光损失的问题。

另外，在专利文献3中公开了具有将空腔部分用低折射率层填充的结构(非空腔结构)的背面照射型CMOS图像传感器，通过使该低折射率层的低折射材料的折射率为1.4以下，可以获得与微透镜之间的较大的相对折射率差，是更加有效的。

但是另一方面，专利文献3中对于由上述那样的各层的折射率之差所产生的光损失的发生并没有言及。进而，专利文献3中还提到了：也考虑了代替该低折射率层的设置而在硅基板上的整面形成由折射率低的粘接剂构成的粘接剂层以使得不形成空腔，但现状是折射率足够低、透光性足够高、且具有粘接性的实用材料还未找到，因此该方法并不现实。