[发明专利]发光二极管的检测方法有效
申请号: | 201810228404.4 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN108428638B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 王澄光 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 检测 方法 | ||
1.一种发光二极管的检测方法,其特征在于,包括:
将多个发光二极管粘着于一光离型层,其中该光离型层具有黏性;
输入一电能至该些发光二极管,以使该些发光二极管中的多个正常发光二极管分别发出一光线,其中该光线弱化该光离型层粘着于各该正常发光二极管的黏性;以及
在输入该电能至该些发光二极管之后,移除该光离型层与附着于该光离型层的该些发光二极管,以保留未附着于该光离型层的该些正常发光二极管。
2.如权利要求1所述的发光二极管的检测方法,还包括:
将该些发光二极管配置于一电测基板上,其中该些发光二极管位于该电测基板与该光离型层之间,并且电连接该电测基板;以及
提供该电能于该电测基板,以输入该电能至该些发光二极管。
3.如权利要求2所述的发光二极管的检测方法,还包括:
在移除该光离型层与附着于该光离型层的该些发光二极管之后,将一光固化层配置于该些正常发光二极管上,其中该些正常发光二极管位于该电测基板与该光固化层之间;
提供该电能于该电测基板,以输入该电能至该些正常发光二极管,其中该些正常发光二极管中的至少一不合格发光二极管发出一固化光线而局部固化该光固化层,以使该不合格发光二极管附着于该光固化层;
在输入该电能至该些正常发光二极管之后,移除该光固化层与附着于该光固化层的该不合格发光二极管,以保留未附着于该光固化层的多个合格发光二极管。
4.如权利要求3所述的发光二极管的检测方法,其中该合格发光二极管的该光线的波长大于该不合格发光二极管的该固化光线的波长。
5.一种发光二极管的检测方法,其特征在于,包括:
将多个发光二极管配置于一电测基板上,其中该些发光二极管电连接该电测基板;
将一光固化层配置于该些发光二极管上,其中该些发光二极管位于该电测基板与该光固化层之间;
提供一电能于该电测基板,以输入该电能至该些发光二极管,以使该些发光二极管中的至少一不合格发光二极管发出一固化光线而局部固化该光固化层,让该不合格发光二极管附着于该光固化层;以及
在输入该电能至该些发光二极管之后,移除该光固化层与附着于该光固化层的该不合格发光二极管,以保留未附着于该光固化层的多个剩余发光二极管。
6.如权利要求5所述的发光二极管的检测方法,还包括:
在移除该光固化层与附着于该光固化层的该些不合格发光二极管之后,将一具有黏性的光离型层粘着于该些剩余发光二极管,其中该些剩余发光二极管位于该电测基板与该光离型层之间;
提供该电能于该电测基板,以输入该电能至该些剩余发光二极管,以使该些剩余发光二极管中的多个合格发光二极管分别发出一光线,其中该光线弱化该光离型层粘着于各该合格发光二极管的黏性;以及
在输入该电能至该些剩余发光二极管之后,移除该光离型层与附着于该光离型层的该些剩余发光二极管,以保留未附着于该光离型层的该些合格发光二极管。
7.一种发光二极管的检测方法,其特征在于,包括:
将多个发光二极管夹置于一可固化层以及一可离型层之间,其中该些发光二极管电连接该可固化层与该可离型层,而该可离型层粘着于该些发光二极管;
输入一电能至该些发光二极管,以使该些发光二极管中的多个合格发光二极管发光,其中该些合格发光二极管不附着于该可固化层与该可离型层;以及
在输入该电能至该些发光二极管之后,将该可固化层与该可离型层分开,并保留未附着于该可固化层与该可离型层的该些合格发光二极管。
8.如权利要求7所述的发光二极管的检测方法,其中该可固化层与该可离型层都含有多个导电粒子。
9.如权利要求7所述的发光二极管的检测方法,其中该可固化层为一热固化层,而该可离型层为一热离型层;当输入该电能至该些发光二极管时,至少一短路发光二极管局部固化该可固化层而附着于该可固化层,或者,至少一断路发光二极管附着于该可离型层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810228404.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造