[发明专利]双端口静态随机存取存储器单元及包括其的电子设备在审
申请号: | 201810231076.3 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN110310689A | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 王颖倩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G11C11/417 | 分类号: | G11C11/417;G11C7/10 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;卜璐璐 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 上拉晶体管 双端口静态随机存取存储器 传输门晶体管 下拉晶体管 电子设备 裕度 鳍式场效应晶体管 读端口 读位线 读字线 写端口 写位线 写字线 优化 | ||
1.一种双端口静态随机存取存储器单元,其特征在于,所述双端口静态随机存取存储器单元包括多个鳍式场效应晶体管,分别为:
第一上拉晶体管和第二上拉晶体管;
与所述第一上拉晶体管连接的第一下拉晶体管,以及与所述第二上拉晶体管连接的第二下拉晶体管;以及
与所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管连接的第一传输门晶体管,以及与所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管连接的第二传输门晶体管;
其中,所述第一传输门晶体管连接读字线和读位线,所述第二传输门晶体管连接写字线和写位线。
2.根据权利要求1所述的双端口静态随机存取存储器单元,其特征在于,所述第一上拉晶体管、所述第一下拉晶体管与所述第一传输门晶体管各自包括的鳍片的数目之比不等于所述第二上拉晶体管、所述第二下拉晶体管与所述第二传输门晶体管各自包括的鳍片的数目之比。
3.根据权利要求2所述的双端口静态随机存取存储器单元,其特征在于,所述第一上拉晶体管、所述第一下拉晶体管与所述第一传输门晶体管所包括的鳍片的数目之和等于所述第二上拉晶体管、所述第二下拉晶体管与所述第二传输门晶体管所包括的鳍片的数目之和。
4.根据权利要求3所述的双端口静态随机存取存储器单元,其特征在于,所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管各自包括的鳍片的数目相同,所述第一下拉晶体管包括的鳍片的数目大于所述第二下拉晶体管包括的鳍片的数目,所述第一传输门晶体管包括的鳍片的数目小于所述第二传输门晶体管包括的鳍片的数目。
5.根据权利要求4所述的双端口静态随机存取存储器单元,其特征在于,所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管各自包括1个鳍片,所述第一下拉晶体管包括3个鳍片,所述第二下拉晶体管包括1个鳍片,所述第一传输门晶体管包括1个鳍片,所述第二传输门晶体管包括3个鳍片。
6.根据权利要求5所述的双端口静态随机存取存储器单元,其特征在于,所述第一下拉晶体管所包括的3个鳍片之间由鳍片连接金属和栅极连接金属连接,所述第二传输门晶体管所包括的3个鳍片之间由鳍片连接金属和栅极连接金属连接。
7.根据权利要求2所述的双端口静态随机存取存储器单元,其特征在于,所述双端口静态随机存取存储器单元的各晶体管所包括的鳍片的数目依赖于鳍片之间的连接关系而改变,而不依赖于鳍片数目的实际增加或减少而改变。
8.根据权利要求1-7中的任一项所述的双端口静态随机存取存储器单元,其特征在于,所述双端口静态随机存取存储器单元的版图中具有与单端口静态随机存取存储器单元的版图中相同数目的鳍片。
9.根据权利要求1-7中的任一项所述的双端口静态随机存取存储器单元,其特征在于,所述双端口静态随机存取存储器单元具有与单端口静态随机存取存储器单元相同的单元面积。
10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括权利要求1-9中的任一项所述的双端口静态随机存取存储器单元。
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