[发明专利]双端口静态随机存取存储器单元及包括其的电子设备

说明书

本发明提供一种双端口静态随机存取存储器单元及包括其的电子设备。所述双端口静态随机存取存储器单元包括多个鳍式场效应晶体管，分别为：第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；与所述第一上拉晶体管连接的第一下拉晶体管，以及与所述第二上拉晶体管连接的第二下拉晶体管；以及与所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管连接的第一传输门晶体管，以及与所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管连接的第二传输门晶体管；其中，所述第一传输门晶体管连接读字线和读位线，所述第二传输门晶体管连接写字线和写位线。本发明所提供的双端口静态随机存取存储器单元及包括其的电子设备写端口和读端口分离，使得写裕度和读裕度可被各自优化而无需彼此权衡。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种双端口静态随机存取存储器(SRAM)单元及包括其的电子设备。

背景技术

静态随机存取存储器广泛用于逻辑大规模集成电路(LSI)芯片。目前的静态随机存取存储器通常为单端口(SP)静态随机存取存储器单元。单端口静态随机存取存储器单元读写端口不分离，写裕度和读裕度的优化需要相互权衡；此外，单端口静态随机存取存储器单元读写端口不分离，不适于并行操作。

发明内容

为了解决上述问题而提出了本发明。本发明提供了一种双端口静态随机存取存储器单元，所述双端口静态随机存取存储器单元包括多个鳍式场效应晶体管，分别为：第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；与所述第一上拉晶体管连接的第一下拉晶体管，以及与所述第二上拉晶体管连接的第二下拉晶体管；以及与所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管连接的第一传输门晶体管，以及与所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管连接的第二传输门晶体管；其中，所述第一传输门晶体管连接读字线和读位线，所述第二传输门晶体管连接写字线和写位线。

在本发明的一个实施例中，所述第一上拉晶体管、所述第一下拉晶体管与所述第一传输门晶体管各自包括的鳍片的数目之比不等于所述第二上拉晶体管、所述第二下拉晶体管与所述第二传输门晶体管各自包括的鳍片的数目之比。

在本发明的一个实施例中，所述第一上拉晶体管、所述第一下拉晶体管与所述第一传输门晶体管所包括的鳍片的数目之和等于所述第二上拉晶体管、所述第二下拉晶体管与所述第二传输门晶体管所包括的鳍片的数目之和。

在本发明的一个实施例中，所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管各自包括的鳍片的数目相同，所述第一下拉晶体管包括的鳍片的数目大于所述第二下拉晶体管包括的鳍片的数目，所述第一传输门晶体管包括的鳍片的数目小于所述第二传输门晶体管包括的鳍片的数目。

在本发明的一个实施例中，所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管各自包括1个鳍片，所述第一下拉晶体管包括3个鳍片，所述第二下拉晶体管包括1个鳍片，所述第一传输门晶体管包括1个鳍片，所述第二传输门晶体管包括3个鳍片。

在本发明的一个实施例中，所述第一下拉晶体管所包括的3个鳍片之间由鳍片连接金属和栅极连接金属连接，所述第二传输门晶体管所包括的3个鳍片之间由鳍片连接金属和栅极连接金属连接。

在本发明的一个实施例中，所述双端口静态随机存取存储器单元的各晶体管所包括的鳍片的数目依赖于鳍片之间的连接关系而改变，而不依赖于鳍片数目的实际增加或减少而改变。

在本发明的一个实施例中，所述双端口静态随机存取存储器单元的版图中具有与单端口静态随机存取存储器单元的版图中相同数目的鳍片。

在本发明的一个实施例中，所述双端口静态随机存取存储器单元具有与单端口静态随机存取存储器单元相同的单元面积。

根据本发明的另一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括上述任一项所述的双端口静态随机存取存储器单元。