[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

第一导电型第一掺杂区域，其形成在所述基板中；

第二导电型第二掺杂区域，其与所述第一导电型第一掺杂区域间隔开地形成在所述基板中；

源极区，其形成在所述第一导电型第一掺杂区域中；

漏极区，其形成在所述第二导电型第二掺杂区域中；

栅绝缘膜，其形成在所述源极区和所述漏极区之间，所述栅绝缘膜包括：

薄栅绝缘膜，其形成为相比于所述漏极区更靠近所述源极区；

厚栅绝缘膜，其形成为相比于所述源极区更靠近所述漏极区；以及

连接绝缘膜，其设置在所述薄栅绝缘膜和所述厚栅绝缘膜之间，并且所述连接绝缘膜的厚度从所述薄栅绝缘膜的厚度变化至所述厚栅绝缘膜的厚度；以及

栅电极，其形成在所述薄栅绝缘膜、所述厚栅绝缘膜和所述连接绝缘膜上，

其中，所述薄栅绝缘膜的下表面与所述厚栅绝缘膜的下表面共面，并且所述栅电极覆盖所述厚栅绝缘膜的长度的一半以上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接绝缘膜的上表面具有斜面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电型第一掺杂区域形成为在所述源极区至所述漏极区的方向上延伸至所述薄栅绝缘膜的部分区域。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电型第二掺杂区域形成为在所述漏极区至所述源极区的方向上延伸至所述薄栅绝缘膜的部分区域。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电型第二掺杂区域形成为在所述漏极区至所述源极区的方向上仅延伸至所述厚栅绝缘膜的部分区域。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电型第二掺杂区域形成为在所述漏极区至所述源极区的方向上延伸至所述连接绝缘膜的部分区域。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接绝缘膜将所述薄栅绝缘膜和所述厚栅绝缘膜彼此连接。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述基板中顺序形成的第一隔离区、第二隔离区和第三隔离区；

形成在所述第一隔离区和所述第三隔离区之间的第二导电型深阱区；以及

形成在所述第二隔离区和所述第三隔离区之间并与所述第二导电型深阱区接触的第一导电型阱区。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏极区与所述厚栅绝缘膜间隔开。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

设置在所述漏极区和所述厚栅绝缘膜之间的硅化物阻挡绝缘膜，

其中，所述硅化物阻挡绝缘膜与所述基板的上表面接触。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

设置在所述漏极区和所述厚栅绝缘膜之间的硅化物阻挡绝缘膜，

其中，所述硅化物阻挡绝缘膜与所述第二导电型第二掺杂区域的上表面接触。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

形成在所述栅电极、所述源极区和所述漏极区上的硅化物。