[发明专利]一种测试多触点电连接结构电性能的实验装置及测试方法

说明书

本发明公开了一种测试多触点电连接结构电性能的实验装置及测试方法，涉及散裂中子源技术领域，实验装置包括下底座、固定底座和活动底座，活动底座可做升降运动，活动底座底面嵌入设有热电偶上组件，下底座上表面嵌入设有热电偶下组件，活动底座做升降运动时、热电偶上组件和热电偶下组件之间的间隙距离随之改变；测试方法包括：(1)、装配热电偶；(2)、装配活动底座；(3)、装配下底座和固定底座；(4)、调节间隙距离等步骤。本发明可以模拟散裂中子源中靶体插件与靶体插件支撑之间的装配方式，预测和验证热电偶的多触点电连接结构在可能的装配误差范围内的电连接性能。

技术领域

本发明属于散裂中子源技术领域，具体涉及一种测试多触点电连接结构电性能的实验装置及测试方法。

背景技术

散裂中子源，就是通过质子加速器打靶产生散列中子的装置，是研究中子特性、探测物质微观结构和运动的科研装置。靶体插件系统是中国散裂中子源项目的重要系统之一，安装在靶站中心，接受高能质子束轰击而产生中子。为了准确掌握该区域各个时间段的温度变化情况，引入了多个测量温度的热电偶并结合使用多触点电连接结构，多触点电连接结构可以使用于中子源辐射环境下且便于远程安装。

具体地，将热电偶上组件和热电偶下组件分别通过多触点电连接结构安装于靶体插件和靶体插件支撑上，通过这样的设计将靶体插件上的热电偶线缆通过靶体插件支撑引至控制室，最终测量得到各个时间段的温度变化情况。

但是在实际操作过程中，靶体及靶体支撑因加工偏差引起的装配间隙偏差，难以预测对热电偶上组件和热电偶下组件的电连接性能产生的影响。

发明内容

本发明的目的是提供一种测试多触点电连接结构电性能的实验装置及测试方法，可以模拟散裂中子源中靶体插件与靶体插件支撑之间的装配方式，预测和验证热电偶的多触点电连接结构在可能的装配误差范围内的电连接性能。

本发明提供了如下的技术方案：一种测试多触点电连接结构电性能的实验装置，包括下底座和设于下底座上的固定底座，固定底座底面向上嵌入设有空槽，空槽和下底座共同形成腔室，腔室内设有活动底座，活动底座和固定底座相连接并可在腔室内做升降运动，活动底座底面嵌入设有热电偶上组件，下底座顶面嵌入设有与热电偶上组件相对应的热电偶下组件。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述固定底座还包括升降螺纹杆，升降螺纹杆顶端穿过固定底座顶面并与固定底座螺纹连接，升降螺纹杆底端与活动底座顶面转动连接，升降螺纹杆旋转带动活动底座在腔室内做升降运动。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述固定底座顶面设有与升降螺纹杆相配合的升降螺纹套，升降螺纹套的制造材料为黄铜。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述下底座顶面左右两端向上延伸出限位块，限位块与下底座形成限位槽，固定底座通过限位槽与下底座相契合。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述限位槽的纵截面为梯形结构，限位块内壁为滑动过渡面，固定底座通过滑动过渡面滑入限位槽中。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述限位槽的纵截面为顶边大于底边的梯形结构。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述限位块顶面嵌入设有V形槽，V形槽中贯穿设有V形槽定位柱，V形槽定位柱一端与固定底座紧固连接。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述下底座上设有活动底座导向轴，活动底座导向轴穿过活动底座和固定底座，活动底座沿活动底座导向轴做升降运动。