[发明专利]一种测量半导体鳍部粗糙度的方法有效
| 申请号： | 201810234848.9 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108550532B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;左青云;李铭;黄仁东 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测量 半导体 粗糙 方法 | ||
1.一种测量半导体鳍部粗糙度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：提供一表面形成有半导体鳍部的衬底；
步骤S02：将一金属电极放置在半导体鳍部的一侧；
步骤S03：将半导体鳍部接地，并对金属电极施加一定电压；
步骤S04：记录金属电极处于半导体鳍部侧壁不同位置时产生的电场力，以根据电场力的大小来测量半导体鳍部侧壁不同位置的粗糙度；其中，将所述金属电极以步进方式放入到半导体鳍部的一侧，直至放入到半导体鳍部的侧壁底部为止。
2.根据权利要求1所述的测量半导体鳍部粗糙度的方法，其特征在于，步骤S02中，将所述金属电极与半导体鳍部在垂直方向上相平行设置。
3.根据权利要求1所述的测量半导体鳍部粗糙度的方法，其特征在于，以步进方式放入所述金属电极时，每进入一点，记录一次电场力的大小，直到半导体鳍部的侧壁底部为止。
4.根据权利要求1所述的测量半导体鳍部粗糙度的方法，其特征在于，步骤S03中，对所述金属电极施加0.1V至5V的电压。
5.根据权利要求1所述的测量半导体鳍部粗糙度的方法，其特征在于，将一金属探针的一端与半导体鳍部的顶部接触，使半导体鳍部通过金属探针的另一端接地。
6.根据权利要求1所述的测量半导体鳍部粗糙度的方法，其特征在于，所述半导体鳍部的材料为硅，所述金属电极由石墨，铁，镍或铂材料中的至少一种构成。
7.根据权利要求1所述的测量半导体鳍部粗糙度的方法，其特征在于，将金属电极与一计算机设备相连，以记录金属电极处于半导体鳍部侧壁不同位置时产生的电场力，以及根据电场力的大小来测量半导体鳍部侧壁不同位置的粗糙度。
8.根据权利要求7所述的测量半导体鳍部粗糙度的方法，其特征在于，所述计算机设备包括数据收集单元、计算单元和输出单元，通过数据收集单元收集金属电极处于半导体鳍部侧壁不同位置时与半导体鳍部侧壁之间的距离，通过计算单元计算出电场力的大小并记录，进一步计算出对应位置的粗糙度，再通过输出单元输出计算值。
9.根据权利要求8所述的测量半导体鳍部粗糙度的方法，其特征在于，所述电场力的计算满足以下公式：
E＝U/d
其中，E是电场力，U是施加在金属电极上的固定电压，d是金属电极到半导体鳍部侧壁的距离。
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