[发明专利]离子注入方法在审
| 申请号： | 201810236707.0 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108447781A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王克丞 | 申请（专利权）人： | 上海奥简微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 庄文莉 |
| 地址： | 201601 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 衬底 沟道 掩膜 芯片 场氧化层 位置区域 阱区域 制程 制式 遮挡 局限 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子注入方法，其特征在于，包括：
步骤1，在衬底上形成N阱与P阱；
步骤2，在衬底的P阱区域或非N阱区域上设置第一掩膜，在N阱区域上设置第二掩膜；
步骤3，进行离子注入。
2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，所述步骤1包括：
步骤1.1，利用N阱掩膜，在衬底上掺入杂质形成N阱；
步骤1.2，利用P阱掩膜，在衬底上掺入杂质形成P阱。
3.根据权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，所述步骤1.1中，掺入杂质的剂量为1012～1013/cm2、注入杂质的能量为100KeV～200KeV。
4.根据权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，所述步骤1.2中，掺入杂质的剂量为1012～1013/cm2、注入杂质的能量为100KeV～200KeV。
5.根据权利要求1述的离子注入方法，其特征在于，所述步骤3中，进行P场离子注入。
6.根据权利要求1或2所述的离子注入方法，其特征在于，所述衬底为P型衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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