[发明专利]离子注入方法

说明书

本发明提供一种离子注入方法，包括：步骤1，在衬底上形成N阱与P阱；步骤2，在衬底的P阱区域或非N阱区域上设置第一掩膜，在N阱区域上设置第二掩膜；步骤3，进行离子注入。与现有技术相比，本发明具有以下优点：除了在P阱场氧化层底下形成沟道阻断的作用外，也可以注入在N阱区、或遮挡P阱某些特定区域的P场注入、也就是P场注入不再局限于所有P阱范围，而是可以在芯片中任意需要的位置区域来产生所要的器件。本发明在同样的工序下，让P场注入不仅只提供沟道阻断的功能，还能形成多种非制式器件，发挥现有制程的更大效益，丰富芯片的效能。

技术领域

本发明涉及一种适用于半导体器件光刻的离子注入方法。

背景技术

传统P场注入只运用在P阱区，所以通常会与P阱注入共享同一张光罩，将非P阱区遮挡住，或是使用不一样的注入方式进而避免使用光罩。

如公开文献《Blanket CMOS Channel-Stop Implant》(US5073509A)公开了一种通过形成具有磷和砷植入物的N阱而制造CMOS晶体管。具有较低扩散系数的砷倾向于集中在N阱的顶面附近，所述磷的穿透量足以将所述N阱限定在所需深度。在不掩蔽N阱的情况下，随后施加硼沟道停止注入由于砷植入物集中在表面附近，所以砷杂质克服了硼杂质的影响。该公开文献的P场注入的主要功能也仅仅是产生沟道阻断隔离的功用，做为有源区间的隔离。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明目的在于提供一种可以令P场注入可以注入在任何有需要的区域而不局限于P阱区或非N阱区的离子注入方法。

为解决上述技术问题，本发明提供一种离子注入方法，包括：

步骤1，在衬底上形成N阱与P阱；

步骤2，在衬底的P阱区域或非N阱区域上设置第一掩膜，在N阱区域上设置第二掩膜；

步骤3，进行离子注入。

优选地，所述步骤1包括：

步骤1.1，利用N阱掩膜，在衬底上掺入杂质形成N阱；

步骤1.2，利用P阱掩膜，在衬底上掺入杂质形成P阱。

优选地，所述步骤1.1中，掺入杂质的剂量为10¹²～10¹³/cm²、注入杂质的能量为100KeV～200KeV。

优选地，所述步骤1.2中，掺入杂质的剂量为10¹²～10¹³/cm²、注入杂质的能量为100KeV～200KeV。

优选地，所述步骤3中，进行P场离子注入。

优选地，所述衬底为P型衬底。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：除了在P阱场氧化层底下形成沟道阻断的作用外，也可以注入在N阱区、或遮挡P阱某些特定区域的P场注入、也就是P场注入不再局限于所有P阱范围，而是可以在芯片中任意需要的位置区域来产生所要的器件。本发明在同样的工序下，让P场注入不仅只提供沟道阻断的功能，还能形成多种非制式器件，发挥现有制程的更大效益，丰富芯片的效能。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征目的和优点将会变得更明显。

图1为本发明离子注入方法P场注入示意图一；

图2为本发明离子注入方法P场注入示意图二；

图3为本发明离子注入方法形成的器件示意图一；

图4为本发明离子注入方法形成的器件示意图二；