[发明专利]一种二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料以及制备方法有效
申请号: | 201810236880.0 | 申请日: | 2018-03-21 |
公开(公告)号: | CN108666151B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 谢正伟;王斌;汪沣;付光辉;汪岳峰 | 申请(专利权)人: | 深圳新恒业电池科技有限公司 |
主分类号: | H01G11/36 | 分类号: | H01G11/36;H01G11/24;H01G11/28;H01G11/26;H01G11/50;H01G11/30;H01G11/86;B82Y30/00 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 郭伟刚 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硫化 纳米 石墨 复合 电极 材料 以及 制备 方法 | ||
1.一种二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料的制备方法,其特征在于,具体步骤为:
1)将制备的氧化石墨超声分散到去离子水,得到氧化石墨烯水溶液;
2)将乙醇与聚乙烯醇按照设定体积比搅拌混合,得到混合溶液,将丙三胺和硫脲溶于所述混合溶液中,接着将二氯化钴溶于所述混合溶液中,搅拌至完全溶解,得到二氯化钴溶液,在将所述丙三胺和硫脲溶于所述混合溶液时,其摩尔浓度比为0.5~50;
3)将步骤1)中的氧化石墨烯水溶液滴加入步骤2)的所述二氯化钴溶液中,搅拌预设时长后静止,并收集沉淀;
4)将步骤3)得到的沉淀干燥,研磨,得到粉末状复合物的前驱体;
5)将步骤4)得到的所述前驱体在高度真空环境中低温退火,得到二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料。
2.根据权利要求1所述的二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中制备的氧化石墨为采用改性Hummers方法制备氧化石墨,包括:
制备预氧化石墨步骤,将一定量的浓硫酸和过硫酸钾混合均匀,并加热,后加入3克石墨粉,得到深蓝色混合物,抽滤洗涤至pH=5~12,110℃真空干燥过夜;
称量2.5克预氧化石墨,冰浴下加入浓硫酸,然后将10.5克高锰酸钾慢慢加入混合溶液中并保持温度20℃以下搅拌5小时,再加入去离子水,加入30%过氧化氢至反应结束;以及
得到的产品用稀盐酸和去离子水各洗3次,冷冻干燥得到氧化石墨。
3.根据权利要求2所述的二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中得到的混合溶剂,乙醇与聚乙烯醇的体积比为6:1~1:8。
4.根据权利要求3所述的二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料的制备方法,其特征在于,在步骤2)将二氯化钴溶于所述混合溶剂中,所述二氯化钴浓度为0.08~0.2克/毫升。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料的制备方法,其特征在于,在步骤3)中所述搅拌为搅拌混合或超声处理混合的一种或多种,并且步骤3)所述搅拌预设时长为搅拌0.5-20小时。
6.根据权利要求5所述的二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料的制备方法,其特征在于,在步骤3)中将所述氧化石墨烯水溶液滴加于步骤2)的所述二氯化钴溶液中时,氧化石墨烯与二氯化钴的质量比为3:1~6:1。
7.根据权利要求6所述的二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料的制备方法,其特征在于,步骤4)中的所述干燥为冷冻干燥或真空干燥的一种或多种;步骤5)中的所述退火为在真空度小于100帕斯卡的真空环境下,在低于550℃的低温下保存5分钟~240分钟。
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